パワー半導体コンポーネントは、アナログ半導体に属する電力制御に使用される 半導体コンポーネントであり 、通常は整流器ダイオード、パワートランジスタを含むパワーデバイスと呼ばれます（電源 MOSFET 、断熱ゲート双極トランジスタ（IGBT））、サイリスタおよびゲート。エネルギー制御が可能であるかどうかに関係なく（理想的には）一方向に流れなく流れることを可能にする要素が 'バルブデバイス'と呼ばれ、電力半導体要素がバルブに属し、 '半導体バルブデバイス'と呼ばれる要素について、ターンオフサイリスタ（GTO）、トライアックなどについて。
半導体テクノロジーの進歩により、高電力コンポーネントを処理する応答速度は年々増加し、電力制御デバイス全体の小型化に貢献しています。同時に、省エネと低熱値の観点から、低損失のパフォーマンスが向上し、アプリケーションの範囲が拡大されます。
電源モジュールと制御回路と ドライブ回路 と1つのパッケージに複数のコンポーネントを支払う 保護回路 もモジュール化されています。
高電圧アプリケーションでは、電磁ノイズと断熱性能に対する抵抗性を高める際に高速応答性が必要であるため、光学信号を光学的に引き起こしたサイリスタなどのトリガーソースとして使用する半導体デバイスも使用します。
近年、電力半導体デバイスのアプリケーション分野は、産業規制と家電から新しいエネルギー、鉄道輸送、スマートグリッド、周波数変換の家電製品、および他の多くの市場に拡大し、市場尺度は安定した成長傾向を示しています。現在の市場の需要から判断すると、シリコンベースのMOSFET、シリコンベースのIGBT、炭化シリコンは、電力半導体離散デバイスの主要な製品です。
中国は世界で最も重要な電力装置の消費者であり、電力デバイスセグメントの主要な製品は、中国の市場シェアで最初にランクされています。主要な国際メーカーは現在メイン市場を占めていますが、高級製品は高価すぎて、急速に爆発する国内市場の需要を満たすには高すぎます。国内企業は、業界のハイエンド製品の技術的なボトルネックを徐々に突破するにつれて、私の国の電力半導体デバイスの輸入への依存がさらに弱まり、輸入代替効果が大幅に強化されます。国内企業は、国内代替プロセスから深く恩恵を受けることが期待されています。新興産業の急速な発展に伴い、パワー半導体市場の規模が加速しています。
