전력 반도체 구성 요소는 반도체 구성 요소 입니다. 일반적으로 정류기 다이오드, 전원 트랜지스터 (전원 전원 전원 트랜지스터)를 포함하여 전원 장치라고하는 아날로그 반도체에 속하는 전력 제어에 사용되는 MOSFET , 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 (IGBT)), 갑상선 및 게이트. 턴 오프 사이리스터 (GTOS), 트리엄 등.
반도체 기술의 발전으로, 고출력 부품을 처리하는 응답 속도는 해마다 증가하여 전체 전력 제어 장치의 소형화에 기여합니다. 동시에, 에너지 절약의 관점과 낮은 칼로리 값의 관점에서, 낮은 손실 성능이 향상되고 응용 분야의 범위가 확장됩니다.
전원 모듈 및 제어 회로 및 드라이브 회로 및 하나의 패키지로 여러 구성 요소를 지불하는 보호 회로도 이러한 지능형 전원 모듈 (IPM)을 포함하여 모듈화됩니다.
고전압 응용 분야에서는 전자기 소음 및 절연 성능에 대한 저항을 증가시키는 동시에 고속 응답 성이 필요하므로 광학 신호를 광학적으로 트리거 된 갑옷과 같은 트리거 소스로 사용하는 반도체 장치도 사용됩니다.
최근 몇 년 동안 전력 반도체 장치의 애플리케이션 분야는 산업 제어 및 소비자 전자 장치에서 새로운 에너지, 철도 계통, 스마트 그리드, 주파수 변환 가정 기기 및 기타 여러 시장으로 확장되었으며 시장 규모는 꾸준한 성장 추세를 보여주었습니다. 현재 시장 수요로 판단하면 실리콘 기반 MOSFET, 실리콘 기반 IGBT 및 실리콘 카바이드가 전력 반도체 이산 장치의 주요 제품입니다.
중국은 세계에서 가장 중요한 전력 장치 소비자이며 전력 장치 부문의 주요 제품은 중국의 시장 점유율에서 1 위를 차지했습니다. 주요 국제 제조업체는 현재 주요 시장을 차지하고 있지만 고급 제품은 너무 비싸기 때문에 빠르게 폭발하는 국내 시장 수요를 충족시킵니다. 국내 기업이 점차 업계에서 고급 제품의 기술 병목 현상을 점차적으로 겪으면서 전력 반도체 장치의 수입에 대한 우리나라의 의존성이 더욱 약화되고 수입 대체 효과가 크게 향상 될 것입니다. 국내 기업은 국내 대체 과정의 혜택을 깊이 혜택을받을 것으로 예상됩니다. 신흥 산업의 빠른 발전으로 인해 전력 반도체 시장의 규모가 가속화되고 있습니다.
