통합 회로의 통합 수준이 점점 높아지고 회로가 점점 더 복잡해지면 작동 전압이 낮아지고 환경 안정성에 대한 요구 사항도 높아집니다.
한편으로, 전자 장비의 내부 구조가 높은 통합으로 인해, 장비의 견고한 전압 및 과전류 저항의 수준이 감소하고 과전압 및 과전류를 견딜 수있는 능력이 감소된다. 반면, 신호 소스 경로의 증가로 인해 시스템은 더 취약한 과압과 과전류 침입입니다.
통신 및 산업 제어 산업의 경쟁이 증가함에 따라 통신 장비 공급 업체 및 통신 제품 공급 업체가 제공하는 고 신뢰성 네트워크 장비에 대한 수요도 비교적 증가했습니다. 과전압과 정적 전기의 위험은 일반적으로 번개 타격, 인근 와이어로 인한 유도, 전력선과의 직접 접촉 또는 사용자 장비 고장으로 인해 발생합니다. 이러한 위험은 통신 네트워크 장비 사용자 및 유지 보수 담당자를 위험에 빠뜨릴 수 있습니다. 따라서 통신 장비 공급 업체는 시스템 유지 보수 비용을 줄이고 신뢰성을 향상시키기 위해 과전압과 과전류에 저항하는 장비의 능력을 향상 시켰습니다.
● IEC61000-4-2 (ESD) : Air-15KV, Contact-8KV를 준수합니다
● IEC61000-4-4 (EFT) : 40A-5 / 50NS를 준수합니다
● IEC61000-4-5 (서지) : 24A, 8 / 20µS 레벨 2 (라인 그라운드) 및 레벨 3 (라인 라인)을 준수합니다.
● 낮은 접합 정전 용량 : 3PF 일반
● ROHS 준수
● 간단하고 편리한 디자인
10 / 100m 이더넷 포트 적용 가능한 조건 : 네트워크 케이블을 사용하여 완전히 노출 된 직접 번개 지대에서 10m 미만의 장치를 연결하십시오.
테스트 표준 : TU-T K.21 (10/700 μS) 임피던스 (40Ω) 차동 모드 : 1.0kV 공통 모드 : 6.0kv
| 장치 선택 | GDT | ESD |
| GDT/SMD1812-091 | ESDLC3V0D3 | |
| 패키지 | SMD 1812 | SMD SOD-323 |
| 매개 변수 | 8/20US THOROU 현재 2ka | 3.3V 클램핑 전압 5.15V |
| 장치 선택 | GDT | ESD |
| INT3R090L-8 | ESDSRVLC05-4 | |
| D : 5.5mm | INT3R090L-5.5 | ESDSRVLC05-4 |
참고 : R1 ~ R4의 저항은 BST (Bob Smith Terminal)라고하며, 목적은 두 쌍의 꼬인 쌍 사이의 임피던스와 일치하는 것이며, 이는 신호 전송에 도움이되고 전자기 방사선을 크게 돕는 것입니다.
| 장치 선택 | GDT | ESD |
| GDT/SMD1812-091 | ESDLC3V0D3B |
이 계획은 GDT 가스 배출 튜브를 사용하여 스위치 형 가스 배출 튜브를 통해 서지 전류를지면으로 배출하는 첫 번째 단계를 선택합니다. 또는 방전 튜브 전극의 불활성 가스 아크는 열 형태로 제거됩니다. 중간에서 네트워크 변압기의 인덕턴스 특성은 완전히 활용되어 분리 된 송수지를 사용하여 ESD 장치를 사용하여 ESD 장치를 사용합니다. 클램핑 전압은 IPP에서 약 8V로 감소하여 이더넷 칩이 안전한 보호 상태에 있습니다!
Poe Power, International IEEE 802.3 표준 설명 및 두 가지 전력 방법
IEEE 802.3AF PSE 및 PD의 전력 분류
| 사용 | PSE에서 가장 낮은 전력 출력 레벨 | 손전등 장비의 최대 전력 레벨 |
| 기본 | 15.4W | 0.44 ~ 12.95 w |
| 선택 과목 | 4.0W | 0.44 3.84 w |
| 선택 과목 | 7.0W | 3.84 ~ 6.49 w |
| 선택 과목 | 15.4W | 6.49 12.95 w |
int.p0640scl + pptc protect poe
SMCJ58A + PPTC PROTECT POE
TVS 다이오드 및 반도체 방전 튜브의 효과 (Thyristor)
