unipolar power diodes နှင့်စိတ်ကြွဓာတ်ပါဝါ diodes
yint အိမ် »» သတင်း » သတင်း »» unipolar power diodes နှင့်စိတ်ကြွဓာတ်ပါဝါ diodes

unipolar power diodes နှင့်စိတ်ကြွဓာတ်ပါဝါ diodes

Views: 0     စာရေးသူ - ဆိုဒ်အယ်ဒီတာကို PRUDIME PRUDE TIME PRADION PRUDE: 2023-08-09 မူလအစ: ဆိုဘ်ဆိုက်

မေးမြန်း

Facebook Sharing Button
Twitter Sharing Button
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
WeChat Sharing Button
LinkedIn Sharing Button
Pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
WhatsApp Sharing Button
Sharethis sharing ခလုပ်

 

ထုတ်ကုန်များဖော်ပြချက်

 

EB3B545943 13975277932 A648d367

 

ade66dcd92555115Daf0095A3353EE88

 

တစ်ခုသည် Diode Seniconductor ပစ္စည်းများ (ဆီလီကွန်, ဆယ်လီနီယမ်, Diode တွင် electrod ood နှစ်ခုရှိပြီးအပြုသဘောဆောင်သည့်တိုင်, Diode ၏ pleers နှစ်ခုအကြား Volte ကို Voltage ကိုအသုံးပြုသောအခါကက်သလစ်နိုင်ငံကိုအသုံးပြုသောအခါကက်သလစ်ဘာသာကိုခေါ်သည့်အခါအနှုတ်လက်ခဏာတိုင်ပင်သည် Diode ကိုဖွင့ ်. diode ကိုပိတ်ထားသည်။ အဆိုပါ Diode ၏အပေါ်နှင့် off သည် switch ၏အပေါ်နှင့် off နှင့်ညီမျှသည်။ အဆိုပါ Diode တွင်မပေါင်းသင်းနိုင်သောစီးကူးလှုပ်ရှားမှုရှိပြီးလက်ရှိလမ်းကြောင်းသည်လှည့်သည့်အခါပြွန်မှတဆင့် cathode မှ cathode မှဖြစ်သည်။ Diode သည် semiconductor ထုတ်ကုန်များထဲမှတစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏လျှောက်လွှာသည်အလွန်ကျယ်ပြန့်သည်။ အထူးသဖြင့်အမျိုးမျိုးသောအီလက်ထရောနစ်ဆားကစ်များတွင်ဒိုင်ဗန်းများ, capacitors နှင့် inductors ကဲ့သို့သော diodes များ, capacitors များနှင့် inductors များကဲ့သို့သော diodes များနှင့် အစိတ်အပိုင်းများကို အသုံးပြု . မတူညီသောလုပ်ဆောင်မှုများနှင့်အတူ circuits များကိုဖြည့်ဆည်းပေးခြင်း,

ပုံမှန်ရေဒီယိုဆားကစ်သို့မဟုတ်အခြားအိမ်အသုံးအဆောင်များသို့မဟုတ်စက်မှုထိန်းချုပ်မှုဆားကစ်များတွင်ဖြစ်စေ,

 

bipolar diode

0b38c7962c3998b91afe0B61B61Caacaac

 

တစ် ဦး ကစိတ်ကြွစိတ်ကျရောဂါသည် PN ဖွဲ့စည်းပုံနှင့်ဖွဲ့စည်းထားသော diode တစ်ခုဖြစ်သည်။ PN Junction သည် P-type semiconductor နှင့် n-cyment semiconductor တစ်ခုအကြားတိုက်ရိုက်ဆက်သွယ်မှုဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသောဖွဲ့စည်းပုံဖြစ်သည်။ P-type semiconductor နှင့် n-cyment semiconductor ရှိအခမဲ့အီလက်ထရွန်များရှိအပေါက်များသည်လျှပ်စစ်အတားအဆီးတစ်ခုဖွဲ့စည်းရန် Junction ဒေသတွင်အပေါက်များပေါင်းစပ်ထားသည်။ ရှေ့သို့ဘက်လိုက်မှုဗို့အားအရေးယူဆောင်ရွက်မှုအရအီလက်ထရီနှင့်အပေါက်များသည် Junction ဒေသတွင်လမ်းဆုံလမ်းခွဖြင့်ပြုလုပ်နိုင်သည်။ ပြောင်းပြန်ဘက်လိုက်ဒေသရှိ diable ဗို့အားဖြင့် diad expands သည် junction ဒေသကိုဖြတ်သန်းရန်ခက်ခဲသည်။ ရှေ့သို့ conduction နှင့်ပြောင်းပြန် cutoff ၏ဝိသေသလက္ခဏာများသည်စိတ်ကြွ diodes ၏အခြေခံလက္ခဏာများဖြစ်သည်။

 


 

unipolar power diodes နှင့်စိတ်ကြွဓာတ်အားပေးစက်ရုံများအကြားအဓိကကွာခြားချက်များ -

အဓိက application များ၏စည်းကမ်းချက်များအရ unipolar power diodes များကိုများသောအားဖြင့် power elemronics applications များတွင် switching, drive and invertters များပြုလုပ်ရာတွင်များသောအားဖြင့်ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားသော application များတွင်အသုံးပြုသည်။

ကိရိယာ၏အရည်အချင်းနှင့်ညီညွတ်မှု၏စည်းကမ်းချက်များအရ unipolar power diodes များသည်များသောအားဖြင့်အဆင့်မြင့် application များအတွက်သင့်တော်သောပိုမိုမြန်ဆန်သော voltage spep speople များရှိသည်။ စိတ်ကြွဓာတ်အားပေးစက်ရုံ diodes များသည်နောက်ပြန်လှည့်ပတ်ခြင်းနှင့်လက်ရှိစွမ်းဆောင်ရည်ပိုမိုမြင့်မားသောဗို့အားနှင့်ပိုမိုကြီးမားသောလက်ရှိစွမ်းရည်ရှိသည်။

C3A0991Ca067e814AC162FF37A27AM0

 

ကျွန်တော်တို့ရဲ့သတင်းလွှာအတွက်စာရင်းသွင်းပါ
စာရင်းသွင်းပါ

ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များ

ကြှနျုပျတို့အကွောငျး

ပိုပြီးလင့်များ

ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ

F4, # 9 Tus-Caohejing SCeiard Park,
No.199 Guangfulin E Ride, Shanghai 201613
ဖုန်း: +86 - 18721669954
fax: + 86-21-67699607
အီးမေးလ်: global@yint.com ။ CN

လူမှုကွန်ယက်များ

မူပိုင်ခွင့်© 2024 Yint Electronic All Reserved Reserved ။ ထိုင်ရာ. ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ ။ ထောက်ပံ့ လက်တွဲ..