MOSFET ဂိတ်အရင်းအမြစ်ကာကွယ်မှု

 

MOSFET ဂိတ်အရင်းအမြစ်ကာကွယ်မှု

Power Mos Tube ကိုယ်တိုင်တွင်အားသာချက်များစွာရှိသည်။ ထို့ကြောင့် Power Mos Chapes ကိုကျင့်သုံးသောအခါကိရိယာ၏ယုံကြည်စိတ်ချရမှုကိုတိုးတက်စေရန်အတွက်သင့်တင့်သောအကာအကွယ်ပေးထားသော circuit တစ်ခုကိုဒီဇိုင်းပြုလုပ်ရမည်။

Power Mos Tube Proveryituit condit တွင်အောက်ပါအချက်များကိုအဓိကအားဖြင့်ပါ 0 င်သည်။

1) ဂိတ်တံခါးကိုသိပ်မမြင့်မားတဲ့နေရာကိုတားဆီးပါ

Driver Chip ကိုအသုံးပြုသောကြောင့်၎င်း၏ output impedance နိမ့်သည်။ လျှပ်စစ်ပြွန်ကိုတိုက်ရိုက်မောင်းနှင်အားဖြင့်မောင်းနှင်အားဖြင့်ထုတ်လွှင့်သောပြွန်ကိုလျင်မြန်စွာဖွင့်လှစ်နိုင်ပြီးလျှပ်စစ်ပြွန်၏ယိုစီးမှုနှင့်ရင်းမြစ်အကြားရှိဗို့အားလှုပ်ခြင်းကိုဖြစ်ပေါ်စေနိုင်သည်။ DI / DT နှင့်ဆက်သွယ်ရေးကိုလှည့်ဖြားစေသည်။ အထက်ပါဖြစ်စဉ်ကိုရှောင်ရှားရန် MOS ကားမောင်းသူနှင့် MOS ပြွန်၏တံခါးဝများကြားတွင် Reverse ကိုစီးရီးကိုများသောအားဖြင့်ချိတ်ဆက်ထားသည်။ Revolor ၏အရွယ်အစားကိုယေဘုယျအားဖြင့် ohms သောင်းများဖြစ်ရန်ရွေးချယ်သည်။

2) ဂိတ်နှင့်အရင်းအမြစ်အကြား overvoltage တားဆီး

တံခါးပေါက်နှင့်အရင်းအမြစ်၏ချို့ယွင်းချက်သည်အလွန်မြင့်မားသောကြောင့်ယိုစီးမှုနှင့်အရင်းအမြစ်ကြားရှိဗို့အားရုတ်တရက်ပြောင်းလဲမှုသည် InterelectroDe Capacitance မှတစ်ဆင့်တံခါးဝသို့ပြောင်းသွားလိမ့်မည်။ ဤဗို့အားသည်ပါးလွှာသော Gateoiland ဆိုဒ်အောက်ဆိုဒ်အောက်ဆိုဒ်ကိုတစ်ချိန်တည်းတွင်ဖြစ်စေလိမ့်မည်။ ထို့ကြောင့်, ဗို့အားစည်းမျဉ်းကိုပြွန်တစ်ခုအပြိုင်တွင်ဗို့အားဗို့အားဗို့အားဗို့အားဗို့အားပိတ်ခြင်းကိုကန့်သတ်ရန်နှင့်ဗို့အားပြတင်းပေါက်၏တံခါးပေါက်ကိုတားဆီးရန်တံခါးဝနှင့်ချိတ်ဆက်သင့်သည်။

3) ယိုစီးမှုနှင့်အရင်းအမြစ်အကြား overvoltage မှကာကွယ်ရန်

ယိုစီးမှုရင်းမြစ်ပျက်ပြားဗို့အားဗို့အားဗို့အားယေဘုယျအားဖြင့်အလွန်ကြီးမားသော်လည်းယိုစီးမှုရင်းမြစ်ကိုအကာအကွယ်ပေးထားသည့် circuit ဖြင့်မကာကွယ်ပါကရုတ်တရက်ပြောင်းလဲမှုသည် switching ၏ချက်ချင်းပြောင်းလဲမှုသည် Mike Spike Voltage ကိုဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။ Power Tube ခလုတ်များလျင်မြန်စွာပါဝါပြွန်ခလုတ်များမြန်ဆန်လေလေဖြစ်သည်။ အလွန်အကျွံထုတ်ပေးသော overvoltage ပိုမိုမြင့်မားလိမ့်မည်။ စက်ပစ္စည်းပျက်စီးမှုကိုကာကွယ်ရန်အတွက် Zener Diode ညှပ်နှင့် RC Snubber Circuit ကဲ့သို့သောကာကွယ်မှုအစီအမံများကိုများသောအားဖြင့်အသုံးပြုလေ့ရှိသည်။

လက်ရှိသည်ကြီးမားလွန်းသည်သို့မဟုတ်တိုတောင်းသောပတ် 0 န်းကျင်ရှိသည့်အခါ Power Mos Tube ၏ယိုစီးမှုနှင့်အရင်းအမြစ်ကြားရှိလက်ရှိသည်လျင်မြန်စွာတိုးပွားလာပြီးအဆင့်သတ်မှတ်ချက်ထက်ကျော်လွန်သွားလိမ့်မည်။ Pow Power Mos Chace ကို overcurrent limit မှသတ်မှတ်ထားသောအချိန်တွင်ပိတ်ထားရမည်။ လက်ရှိသည်အချို့သောတန်ဖိုးကိုရောက်ရှိသည့်အခါ drive circuit သည် MOS ပြွန်ကိုကာကွယ်ရန်ကာကွယ်ရေး circuit မှတဆင့်ပိတ်ထားသည်။

အောက်ဖော်ပြပါပုံသည် Office circuit ၏လုပ်ဆောင်မှုကိုရှင်းရှင်းလင်းလင်းမြင်နိုင်သည်။