MOSFET -Gate -Quellschutz
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MOSFET -Gate -Quellschutz

Ansichten: 0     Autor: Site Editor Veröffentlichung Zeit: 2023-11-20 Herkunft: Website

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MOSFET -Gate -Quellschutz

Das Power MOS-Röhrchen selbst hat viele Vorteile, aber das MOS-Röhrchen hat eine relativ fragile Fähigkeit, kurzfristige Überlastung standzuhalten, insbesondere in hochfrequenten Anwendungen. Bei der Anwendung von MOS -Röhrchen muss daher ein angemessener Schutzkreis ausgelegt sein, um die Zuverlässigkeit des Geräts zu verbessern.

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Der Schaltkreis zur Schutz von Power MOS -Röhrchen enthält hauptsächlich die folgenden Aspekte:

 

1) Verhindern Sie, dass Gate di/dt zu hoch ist

Da der Treiberchip verwendet wird, ist seine Ausgangsimpedanz gering. Durch direktes Antrieb des Netzteils wird das angetriebene Stromröhrchen schnell ein- und ausgeschaltet, was zu einer Spannungsschwingung zwischen dem Abfluss und der Quelle des Leistungsrohrs führen kann oder das Leistungsrohr über übermäßige Spannung erleidet. DI/DT und verursachen irreführende Kommunikation. Um das obige Phänomen zu vermeiden, wird ein Widerstand normalerweise zwischen dem Ausgang des MOS -Treibers und dem Tor des MOS -Röhrchens in Reihe geschaltet. Die Größe des Widerstands wird im Allgemeinen als Ohm ausgewählt.

 

2) Überspannung zwischen Tor und Quelle verhindern

Da die Impedanz des Tors und der Quelle sehr hoch ist, wird eine plötzliche Änderung der Spannung zwischen dem Abfluss und der Quelle durch die Interelektrodenkapazität mit dem Gate gekoppelt, was zu einer sehr hohen Spike-Spannungsspannung von Gate-Source führt. Diese Spannung bewirkt, dass die dünne Gate-Source-Oxidschicht gleichzeitig so ist, dass das Tor Ladung ansammelt und die Gate-Source-Oxidschicht abbricht. Daher sollte ein Spannungsreglerrohr parallel zum Gate des MOS -Röhrchens angeschlossen werden, um die Gatespannung unter dem Spannungsreglerwert des Spannungsreglerrohrs zu begrenzen und die MOS -Rohr vor dem Abbruch zu schützen. Der parallele MOS -Röhrentate -Widerstand wird die Gate -Ladung freisetzen und die Ladungsansammlung verhindern.

 

3) Schützen Sie vor Überspannung zwischen Abfluss und Quelle

Obwohl die VDS-Ablaufspannungsspannung im Allgemeinen sehr groß ist, ist es auch möglich, dass die Abflussquelle nicht durch eine Schutzkreis geschützt ist, aber es ist auch möglich, dass eine plötzliche Änderung des momentanen Stroms des Geräteschaltungsstroms eine Drain-Spike-Spannung erzeugt, wodurch das MOS-Rohr beschädigt wird. Je schneller die Netzteilschaltungen sind, desto schneller schaltet sich die Stromschlauchschalter. Je höher die erzeugte Überspannung ist. Um die Schäden auf Geräte zu vermeiden, werden normalerweise Schutzmaßnahmen wie Zenerdiodenklemmen und RC -Snubber -Schaltungen verwendet.

Wenn der Strom zu groß ist oder ein Kurzschluss auftritt, steigt der Strom zwischen Abfluss und Quelle des Leistungsmos -Rohrs schnell an und überschreitet den Nennwert. Das Power MOS -Röhrchen muss innerhalb der durch die Überstromgrenze angegebenen Zeit ausgeschaltet werden. Andernfalls wird das Gerät ausgebrannt, sodass dem Hauptkreis eine Stromabtastschutzschaltung hinzugefügt wird. Wenn der Strom einen bestimmten Wert erreicht, wird die Antriebskreis durch den Schutzkreis abgeschaltet, um das MOS -Rohr zu schützen.

 

Das Bild unten zeigt die Schutzschaltung eines MOS -Röhrchens, aus dem wir die Funktion des Schutzkreises deutlich sehen können.

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