SMA 2A -serien Schottky Diode

Yint hjem » Produkter » Kraftdioder » Schottky Diodes » SMA -serien » SMA 2A Series Schottky Diode

Del til:

SMA 2A -serien Schottky Diode

※ Ansvarsfraskrivelse

Brukere bør bekrefte faktisk enhetsytelse i sine spesifikke applikasjoner.

Spesifikasjoner kan endres uten varsel.

Enhetens egenskaper og parametere i dette databladet kan og variere i forskjellige applikasjoner, og faktiske enhetsytelser kan variere over tid.

Tidligere:

NESTE:

Produktkategori

Bilsystem

Industriell instrumentering

USB -grensesnitt

Gjenstander	Symbol	SS22	SS23	SS24	SS25	SS26	SS28	SS210	SS215	SS220	Enhet
Maksimal repeterende topp omvendt spenning	V _rrm	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal RMS -spenning	V _RMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	V
Maksimal DC -blokkeringsspenning	V _DC	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal gjennomsnittlig fremskritt utbedret strøm	I _{F (av)}	2.0									EN
Peak Forward Surge Current 8,3ms Enkel halvt sinusbølge overlagret på nominell belastning	I _FSM	50									EN
Spenningshastighet for endring (nominell VR)	dv/dt	10000									V/μs
Termisk motstand fra veikryss til bly ⁽¹⁾	R _θjl	35									° C/W.
Driftskryss og lagringstemperaturområde	T _j， t _stg	-65 til +125									° C.

Gjenstander	Symbol	SS22	SS23	SS24	SS25	SS26	SS28	SS210	SS215	SS220	Enhet
Maksimal repeterende topp omvendt spenning	V _rrm	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal RMS -spenning	V _RMS	14	21	28	35	42	56	70	105	140	V
Maksimal DC -blokkeringsspenning	V _DC	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maksimal gjennomsnittlig fremskritt utbedret strøm	I _{F (av)}	2.0									EN
Peak Forward Surge Current 8,3ms Enkel halvt sinusbølge overlagret på nominell belastning	I _FSM	50									EN
Spenningshastighet for endring (nominell VR)	dv/dt	10000									V/μs
Termisk motstand fra veikryss til bly ⁽¹⁾	R _θjl	35									° C/W.
Driftskryss og lagringstemperaturområde	T _j， t _stg	-65 til +125									° C.