SMA 2AシリーズSchottky Diode

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SMA 2AシリーズSchottky Diode

※免責事項

ユーザーは、特定のアプリケーションで実際のデバイスパフォーマンスを確認する必要があります。

仕様は予告なく変更される場合があります。

このデータシートのデバイスの特性とパラメーターは、アプリケーションが異なる場合と実行する可能性があり、実際のデバイスのパフォーマンスは時間とともに異なる場合があります。

製品カテゴリ

自動車システム

産業用計装

USBインターフェイス

F4、＃9 Tus-Caohejing Sceience Park、
No.199 Guangfulin E Road、Shanghai 201613

電話：+86- 18721669954
fax： +86-21-67689607
メール：global@yint.com。cn

アイテム	シンボル	SS22	SS23	SS24	SS25	SS26	SS28	SS210	SS215	SS220	ユニット
最大繰り返しピーク逆電圧	v _rrm	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大RMS電圧	v _rms	14	21	28	35	42	56	70	105	140	v
最大DCブロッキング電圧	V _DC	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大平均前方整流電流	i _f（av）	2.0									a
重ね合わされた8.3msシングルハーフサイン波のピークサージ電流定格荷重に	I _FSM	50									a
変化の電圧率（定格VR）	DV/DT	10000									V/μs
熱抵抗接合部から鉛への^（1）	rθjl	35									°C/w
動作ジャンクションと貯蔵温度範囲	T _J、T _STG	-65〜 +125									°C

アイテム	シンボル	SS22	SS23	SS24	SS25	SS26	SS28	SS210	SS215	SS220	ユニット
最大繰り返しピーク逆電圧	v _rrm	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大RMS電圧	v _rms	14	21	28	35	42	56	70	105	140	v
最大DCブロッキング電圧	V _DC	20	30	40	50	60	80	100	150	200	v
最大平均前方整流電流	i _f（av）	2.0									a
重ね合わされた8.3msシングルハーフサイン波のピークサージ電流定格荷重に	I _FSM	50									a
変化の電圧率（定格VR）	DV/DT	10000									V/μs
熱抵抗接合部から鉛への^（1）	rθjl	35									°C/w
動作ジャンクションと貯蔵温度範囲	T _J、T _STG	-65〜 +125									°C