SMA 2A -serie Schottky Diode

Yint hem » Produkt » Kraftdioder » Schottky dioder » SMA -serie » SMA 2A Series Schottky Diode

Dela till:

SMA 2A -serie Schottky Diode

※ Avsägare

Användare bör verifiera den faktiska enhetens prestanda i sina specifika applikationer.

Specifikationer kan ändras utan föregående meddelande.

Enhetsegenskaperna och parametrarna i detta datablad kan och variera i olika applikationer och faktiska enhetsprestanda kan variera över tid.

Tidigare:

Nästa:

Produkt

Bilsystem

Industriinstrumentation

USB -gränssnitt

Föremål	Symbol	Ss22	SS23	SS24	Ss25	Ss26	Ss28	SS210	SS215	SS220	Enhet
Maximal repetitiv topp omvänd spänning	V _rrm	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maximal RMS -spänning	V _rms	14	21	28	35	42	56	70	105	140	V
Maximal likströmsblockeringsspänning	V _DC	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maximal genomsnittlig framåtriktad ström	I _{f (AV)}	2.0									En
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave överlagrad på nominell belastning	Jag _fsm	50									En
Spänningshastighet för förändring (betygsatt VR)	dv/dt	10000									V/μs
Termisk motstånd från korsning till bly ⁽¹⁾	R _θjl	35									° C/W
Driftskorsning och lagringstemperaturområde	T _J， T _STG	-65 till +125									° C

Föremål	Symbol	Ss22	SS23	SS24	Ss25	Ss26	Ss28	SS210	SS215	SS220	Enhet
Maximal repetitiv topp omvänd spänning	V _rrm	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maximal RMS -spänning	V _rms	14	21	28	35	42	56	70	105	140	V
Maximal likströmsblockeringsspänning	V _DC	20	30	40	50	60	80	100	150	200	V
Maximal genomsnittlig framåtriktad ström	I _{f (AV)}	2.0									En
Peak Forward Surge Current 8.3ms Single Half Sine-Wave överlagrad på nominell belastning	Jag _fsm	50									En
Spänningshastighet för förändring (betygsatt VR)	dv/dt	10000									V/μs
Termisk motstånd från korsning till bly ⁽¹⁾	R _θjl	35									° C/W
Driftskorsning och lagringstemperaturområde	T _J， T _STG	-65 till +125									° C