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Standard Gleichrichter Diode 1N4007 1N4148,
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IGBT ist die Abkürzung des 'isolierten bipolaren Transistors ', auch als isolierter bipolarer Transistor bekannt. IGBT i
CEO von Rapidus: Der Traum von 2nm Single Wafer wird 2027 in einem exklusiven Interview mit EE Times in Brüssel realisiert.
Beschreibung Ionenimplantation von Siliziumkarbid ist eine Technik, mit der spezifische Verunreinigungsatome in Siliziumkohlenhydrate eingeführt werden können
