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標準整流器ダイオード1N4007 1N4148、
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IGBTは、「絶縁ゲート双極トランジスタ」の略語であり、断熱ゲート双極トランジスタとも呼ばれます。 IGBT i
Rapidus CEO：2NMシングルウェーハの夢は、2027年にブリュッセルのEEタイムズとの独占インタビューで実現されます。
説明炭化シリコンのイオン移植は、シリコン炭水化物に特定の不純物原子を導入するために使用される技術です
