IGBTは、「絶縁ゲート双極トランジスタ」の略語であり、断熱ゲート双極トランジスタとも呼ばれます。
IGBTは、電力半導体コンポーネントトランジスタのフィールドに分類されます。
IGBTに加えて、電力半導体成分（トランジスタフィールド）の代表的な製品には、MOSFET、双極性などが含まれます。これらは主に半導体スイッチとして使用されます。
それぞれサポートできるスイッチング速度に応じて、双極性は中速スイッチングに適しており、MOSFETは高周波フィールドに適しています。INGBTは、入力部分にMOSFET構造と出力部に双極構造を持つコンポーネントです。 2つを組み合わせることで、2つのキャリア、電子、穴を使用して双極子要素になります。また、低飽和電圧（電力MOSFETの低い抵抗に匹敵する）とスイッチング特性が高速であるトランジスタでもあります。
これは、3層の金属構造 - 酸化物 - 半導体を備えたフィールド効果トランジスタを指します。
バイポーラ
双極元素を使用し、p型とn型と呼ばれる2つの半導体を組み合わせてNPNおよびPNP構造を形成する電流トランジスタを指します。
パワー半導体は、これらの基本コンポーネントで構成される要素単位とモジュール（モジュール）で構成される離散コンポーネント（離散）に分割されます。
IGBTは、個別のコンポーネントとモジュールにも分割され、それぞれに適したアプリケーション範囲があります。
以下の図は、スイッチング（動作）周波数と出力容量の関係におけるIGBTに基づく電力半導体のアプリケーション範囲を示しています。
電源半導体であるIGBTは、自動車用途から産業用具や家電まで、さまざまなアプリケーションで使用されています。高出力アプリケーション範囲と列車およびHEV/EVなどのIGBT銅局の市場を備えた3相モーターコントロールインバーターから、UPS、産業機器電源などの制御アプリケーションを高め、IH（電磁誘導加熱）世帯調理器などの共鳴アプリケーションなど、用途は徐々に拡大します。
次の図は、IGBTのアプリケーションフィールドをまとめたものです。
