ขอบเขตแอปพลิเคชันและตลาดของ IGBT

IGBT เป็นตัวย่อของ transistor Bipolar Bipolar 'ซึ่งเป็นที่รู้จักกันในชื่อ Transistor Bipolar Bipolar

IGBT จัดอยู่ในเขตข้อมูลของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์พลังงาน

นอกเหนือจาก IGBT แล้วผลิตภัณฑ์ตัวแทนของส่วนประกอบเซมิคอนดักเตอร์พลังงาน (ฟิลด์ทรานซิสเตอร์) ได้แก่ MOSFET, bipolar ฯลฯ ซึ่งส่วนใหญ่จะใช้เป็นสวิตช์เซมิคอนดักเตอร์

ตามความเร็วในการสลับที่สามารถรองรับได้ตามลำดับ Bipolar เหมาะสำหรับการสลับความเร็วกลางและ MOSFET เหมาะสำหรับสนามความถี่สูง IGBT เป็นส่วนประกอบที่มีโครงสร้าง MOSFET ในส่วนอินพุตและโครงสร้างสองขั้วในส่วนเอาต์พุต โดยการรวมทั้งสองมันจะกลายเป็นองค์ประกอบสองขั้วโดยใช้ผู้ให้บริการสองตัวอิเล็กตรอนและหลุมมันยังเป็นทรานซิสเตอร์ที่รวมแรงดันไฟฟ้าอิ่มตัวต่ำ (เทียบเท่ากับความต้านทานต่ำของพลังงาน mosfet) และลักษณะการสลับที่เร็วขึ้น

 

 

 

 

 

 

Mosfet

มันหมายถึงทรานซิสเตอร์ผลกระทบภาคสนามที่มีโครงสร้างสามชั้นของโลหะ - ออกไซด์ - เซมิคอนดักเตอร์

 

สองขั้ว

มันหมายถึงทรานซิสเตอร์ที่ดำเนินการในปัจจุบันที่ใช้องค์ประกอบสองขั้วและรวมเซมิคอนดักเตอร์สองตัวที่เรียกว่า P-type และ N-type เพื่อสร้างโครงสร้าง NPN และ PNP

เซมิคอนดักเตอร์พลังงานแบ่งออกเป็นส่วนประกอบที่ไม่ต่อเนื่อง (ไม่ต่อเนื่อง) ประกอบด้วยหน่วยองค์ประกอบและโมดูล (โมดูล) ประกอบด้วยส่วนประกอบพื้นฐานเหล่านี้

IGBTs ยังแบ่งออกเป็นส่วนประกอบและโมดูลที่ไม่ต่อเนื่องและแต่ละรายการมีช่วงแอปพลิเคชันที่เหมาะสมของตัวเอง

รูปด้านล่างแสดงช่วงแอปพลิเคชันของเซมิคอนดักเตอร์พลังงานตาม IGBT ในความสัมพันธ์ระหว่างความถี่การสลับ (การทำงาน) และความจุเอาท์พุท

IGBTS ซึ่งเป็นเซมิคอนดักเตอร์พลังงานใช้ในแอพพลิเคชั่นต่าง ๆ ตั้งแต่การใช้งานยานยนต์ไปจนถึงอุปกรณ์อุตสาหกรรมและอุปกรณ์อิเล็กทรอนิกส์สำหรับผู้บริโภค จากอินเวอร์เตอร์ควบคุมมอเตอร์สามเฟสที่มีขอบเขตแอปพลิเคชันสูงและตลาดของ IGBTCapacitance ในรถไฟและ HEV/EV ฯลฯ เพื่อเพิ่มการควบคุมการใช้งานใน UPS อุปกรณ์จ่ายไฟอุปกรณ์อุตสาหกรรม ฯลฯ การใช้งานการสั่นพ้องใน IH (การเหนี่ยวนำด้วยไฟฟ้า

รูปต่อไปนี้สรุปฟิลด์แอปพลิเคชันของ IGBT