IGBT הוא הקיצור של 'טרנזיסטור דו קוטבי מבודד ', המכונה גם טרנזיסטור דו -קוטבי מבודד.
IGBT מסווג לתחום הטרנזיסטורים של רכיבי מוליכים למחצה.
בנוסף ל- IGBT, מוצרים מייצגים של רכיבי מוליכים למחצה של כוח (שדה טרנזיסטור) כוללים MOSFET, דו קוטבי וכו ', המשמשים בעיקר כמתגי מוליכים למחצה.
על פי מהירויות המיתוג בהן הם יכולים לתמוך בהתאמה, דו קוטבי מתאים למיתוג במהירות בינונית, ו- MOSFET מתאים לשדות בתדר גבוה. IGBT הוא רכיב עם מבנה MOSFET בחלק הקלט ומבנה דו קוטבי בחלק הפלט. על ידי שילוב של השניים, הוא הופך לאלמנט דו קוטבי באמצעות שני נשאים, אלקטרונים וחורים. זה גם טרנזיסטור המשלב מתח רוויה נמוך (הדומה לתנגדות נמוכה של כוח MOSFET) ומאפייני מיתוג מהירים יותר. הוא יש לו מאפייני מיתוג מהיר יותר, הוא עדיין לא טוב כמו MOSFET.
זה מתייחס לטרנזיסטור של אפקט שדה עם מבנה בן שלוש שכבות של מוליכים למחצה של מתכת - תחמוצת.
דו קוטבי
זה מתייחס לטרנזיסטור המופעל על ידי זרם המשתמש באלמנטים דו קוטביים ומשלב שני מוליכים למחצה הנקראים P-Type ו- N-Type ליצירת מבני NPN ו- PNP.
מוליכים למחצה של כוח מחולקים לרכיבים נפרדים (דיסקרטיים) המורכבים מיחידות אלמנטים ומודולים (מודולים) המורכבים מרכיבים בסיסיים אלה.
IGBTs מחולקים גם לרכיבים ומודולים נפרדים, ולכל אחד מהם טווח יישומים מתאים משלו.
האיור שלהלן מציג את טווח היישומים של מוליכים למחצה כוח המבוסס על IGBT בקשר בין תדר מיתוג (הפעלה) לבין קיבול פלט.
IGBTs, שהם מוליכים למחצה של כוח, משמשים ביישומים שונים הנעים בין יישומי רכב לציוד תעשייתי ואלקטרוניקה צרכנית. החל מממירי בקרה מוטוריים תלת פאזיים עם היקף יישום בעל תפוקה גבוהה ושוק של IGBTCAPAcitance ברכבות ו- HEV/EV וכו ', כדי לשפר את יישומי הבקרה ב- UPS, ספקי כוח ציוד תעשייתי וכו', ועד יישומי תהודה ב- IH (חימום אינדוקציה אלקטרומגנטית) כישורי משק בית וכו '.
הדמות הבאה מסכמת את שדות היישום של IGBT.
