IGBT是“絕緣柵極雙極晶體管”的縮寫，也稱為絕緣柵極雙極晶體管。
IGBT分類為冪半導體組件晶體管的領域。
除IGBT外，功率半導體組件（晶體管場）的代表性產品包括MOSFET，雙極等，主要用作半導體開關。
根據他們可以分別支持的開關速度，雙極性適用於中速切換，MOSFET適用於高頻場。 IGBT是一個組件，在輸入部分中具有MOSFET結構，輸出部分中的雙極結構。通過將兩者結合起來，它使用兩個載體，電子和孔成為雙極元件。它也是晶體管，結合了低飽和電壓（與功率MOSFET的低抗性相媲美）和更快的切換特性。儘管它具有更快的開關特性，但它仍然不如Power Mosfet，它的開關特性更快，它的效果不如IRBT弱點。
功率半導體分為由這些基本組件組成的元素單元和模塊（模塊）組成的離散組件（離散）。
IGBT還分為離散組件和模塊，每個組件和模塊都有自己的合適應用程序範圍。
下圖顯示了基於IGBT的功率半導體的應用範圍在開關（操作）頻率和輸出電容之間的關係中。
IGBT是功率半導體，用於從汽車應用到工業設備和消費電子產品的各種應用。從火車和HEV/EV等具有高輸出應用範圍的三相電動機控制逆變器以及IGBTCAPITACE的市場範圍，以促進UPS中的控制應用，工業設備電源等，再到IH（電磁誘導加熱）中的IH（電磁誘導加熱）等，其用途逐漸擴展。
下圖總結了IGBT的應用程序字段。
