IGBT는 절연 게이트 바이폴라 트랜지스터라고도하는 '절연 게이트 바이폴라 트랜지스터 '의 약어입니다.
IGBT는 전력 반도체 구성 요소 트랜지스터 필드로 분류됩니다.
IGBT 외에도 전력 반도체 구성 요소 (트랜지스터 필드)의 대표적인 제품에는 주로 반도체 스위치로 사용되는 MOSFET, 바이폴라 등이 포함됩니다.
스위칭 속도에 따라 각각을 지원할 수있는 바이폴라는 중간 속도 스위칭에 적합하며 MOSFET은 고주파 필드에 적합합니다. igbt는 입력 부품의 MOSFET 구조와 출력 부분의 양극 구조를 갖는 구성 요소입니다. 두 개를 결합함으로써 두 개의 캐리어, 전자 및 구멍을 사용하여 양극성 요소가됩니다. 또한 낮은 포화 전압 (파워 MOSFET의 낮은 저항성과 비교할 수 있음)과 더 빠른 스위칭 특성을 결합한 트랜지스터이기도합니다.
금속 - 산화물 반도체의 3 층 구조를 갖는 전계 효과 트랜지스터를 나타냅니다.
양극성
이는 양극성 요소를 사용하고 P- 타입 및 N- 유형이라는 2 개의 반도체를 결합하여 NPN 및 PNP 구조를 형성하는 전류 수술 트랜지스터를 나타냅니다.
전력 반도체는 이러한 기본 구성 요소로 구성된 요소 단위 및 모듈 (모듈)으로 구성된 개별 구성 요소 (개별)로 나뉩니다.
IGBT는 또한 개별 구성 요소 및 모듈로 나뉘며 각각 고유 한 적절한 응용 프로그램 범위가 있습니다.
아래 그림은 스위칭 (작동) 주파수와 출력 커패시턴스 간의 관계에서 IGBT를 기반으로 한 전력 반도체의 응용 범위를 보여줍니다.
전력 반도체 인 IGBT는 자동차 응용 프로그램에서 산업 장비 및 소비자 전자 제품에 이르기까지 다양한 응용 분야에서 사용됩니다. 열차 및 HEV/EV 등의 고출력 적용 범위와 IGBTCAPACICITANCE 시장이있는 3 단계 모터 제어 인버터에서 UPS, 산업 장비 전원 공급 장치 등의 제어 응용 분야를 향상시키기 위해 IH (전자기 유도 난방) 가구 쿠커 등의 공명 응용 프로그램을 향상시키기 위해, 그 사용은 점차 확대됩니다.
다음 그림은 IGBT의 응용 프로그램 필드를 요약합니다.
