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L'IGBT est l'abréviation de 'transistor bipolaire de porte isolée ', également connu sous le nom de transistor bipolaire de la porte isolée. Igbt i
PDG de Rapidtus: Le rêve de 2nm Single Wafer sera réalisé en 2027 dans une interview exclusive avec EE Times à Bruxelles,
Description L'implantation ionique du carbure de silicium est une technique utilisée pour introduire des atomes d'impuretés spécifiques dans le silicium en glucides