mos ၏အလုပ်လုပ်နိယာမကိုအသေးစိတ်ရှင်းပြပါ
yint အိမ် »» သတင်း » သတင်း »» MOS ၏အလုပ်လုပ်နိယာမကိုအသေးစိတ်ရှင်းပြပါ

mos ၏အလုပ်လုပ်နိယာမကိုအသေးစိတ်ရှင်းပြပါ

Views: 0     စာရေးသူ - ဆိုဒ်အယ်ဒီတာကို PRUDITE PRUDION PRUDION PRUDED ဆိုဘ်ဆိုက်

မေးမြန်း

Facebook Sharing Button
Twitter Sharing Button
လိုင်းမျှဝေခြင်းခလုတ်
WeChat Sharing Button
LinkedIn Sharing Button
Pinterest မျှဝေခြင်းခလုတ်
WhatsApp Sharing Button
Sharethis sharing ခလုပ်

 

ထုတ်ကုန်များဖော်ပြချက်

 

MOS ပြွန် (သတ္တု - အောက်ဆိုဒ်စောင်း - Semiconductor Field-Effect Transistor) သည်သတ္တု, အောက်ဆိုဒ်နှင့် semiconductor crystals များဖြင့်ဖွဲ့စည်းထားသော Semiconductor Device ဖြစ်သည်။

 

အလုပ်လုပ်နိယာမ - ဗို့အား
၏ဂိတ်တံခါးဝနှင့်သက်ဆိုင်သောအခါ MOS Transistor လျှပ်စစ်ဖြည့်စွက်မှုကိုပြောင်းလဲစေသည့်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားဖြည့်တင်းမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေသည်။

အဓိက parameters တွေကို
- 1
2 ။ dynamic parameters: အများဆုံး priness လက်ရှိ, အများဆုံး priness voltage, အများဆုံးပါဝါစားသုံးမှု, အချိန်နှင့် Duty Cycle စသည်ဖြင့်အများဆုံး priness voltage

MOS2

 

မောရှေ

အသေးစိတ်ရှင်းပြချက် - Static operating point သည်
၏အရင်းအမြစ်နှင့်ယိုစီးမှုအကြားလက်ရှိအသင်းအကြားရှိလက်ရှိအခြေအနေ MOS Transistor သည်သုညဖြစ်သည်။ ယေဘုယျအားဖြင့်ထုတ်လုပ်သူကသတ်မှတ်ထားသော static operating point သည်အသင့်တော်ဆုံးလည်ပတ်မှုအချက်ဖြစ်သည်။ အကယ်. ၎င်းသည် static operating point မှသွေဖည်နေပါက၎င်းသည် MOS ၏စွမ်းဆောင်ရည်ကိုအကျိုးသက်ရောက်လိမ့်မည်။

 

တက်ကြွသော parameters များသည်တက်ကြွသောလုပ်ငန်းခွင်ရှိ MOS ၏ဝိသေသလက္ခဏာများကိုရည်ညွှန်းသည်။ အများဆုံးယိုစီးမှုသည် MOS ဆီးတားနိုင်သည့်အများဆုံးလက်ရှိဖြစ်သည်။ အကယ်. ၎င်းသည်ဤတန်ဖိုးကိုကျော်လွန်ပါကမောရှေသည်ပျက်စီးလိမ့်မည်။ အများဆုံး priness voltage သည် MOS ကိုဆီးတားနိုင်သည့်အမြင့်ဆုံးဗို့အားဖြစ်သည်။ ဤတန်ဖိုးကိုကျော်လွန်ပါက၎င်းသည် MOS ၏ပြိုကွဲမှုကိုဖြစ်ပေါ်စေလိမ့်မည်။ အများဆုံးပါဝါစားသုံးမှုသည် MOS ဆီးတားနိုင်သည့်အမြင့်ဆုံးစွမ်းအားဖြစ်သည်။ ဤတန်ဖိုးကို ကျော်လွန်. MOS သည်အပူကိုအပူ ပေး. ပျက်စီးစေလိမ့်မည်။ အချိန်ပြောင်းခြင်းသည် MOS မှထွက်ခွာရန်လိုအပ်သည့်အချိန်ကိုရည်ညွှန်းသည်။ အပလီကေးရှင်းများတွင်အထူးဂရုပြုရန်လိုအပ်သည့်အချိန်အထိ POP သို့ 0 င်ရောက်သောအချိန်နှင့်ပတ်သက်သောအချိန်နှင့်ပတ်သက်သောအချိန်ကိုရည်ညွှန်းသည်။

 

အတိုချုပ်ဆိုရလျှင် MOS သည်များသောအားဖြင့်အသုံးပြုသော semiconductor device တစ်ခုဖြစ်သည်။ ၎င်း၏အဓိက parameters များမှာ static operating point နှင့် dynamic parameters တွေကိုပါဝင်သည်။ သတ်သတ်မှတ်မှတ် application ဇာတ်လမ်းအရသင့်လျော်သော MOM Tube မော်ဒယ်နှင့် parameters များကိုရွေးချယ်ရန်လိုအပ်သည်။

 

 

ကျွန်တော်တို့ရဲ့သတင်းလွှာအတွက်စာရင်းသွင်းပါ
စာရင်းသွင်းပါ

ကျွန်ုပ်တို့၏ထုတ်ကုန်များ

ကြှနျုပျတို့အကွောငျး

ပိုပြီးလင့်များ

ကြှနျုပျတို့ကိုဆကျသှယျရနျ

F4, # 9 Tus-Caohejing SCeiard Park,
No.199 Guangfulin E Ride, Shanghai 201613
ဖုန်း: +86 - 18721669954
fax: + 86-21-67699607
အီးမေးလ်: global@yint.com ။ CN

လူမှုကွန်ယက်များ

မူပိုင်ခွင့်© 2024 Yint Electronic All Reserved Reserved ။ ထိုင်ရာ. ကိုယ်ရေးအချက်အလက်မူဝါဒ ။ ထောက်ပံ့ လက်တွဲ..