MOS tüpü (metal-oksit-iletken alan-etki transistörü), metal, oksit ve yarı iletken kristallerden oluşan bir yapı olan bir yarı iletken cihazdır.
Çalışma Prensibi: transistörünün kapısına belirli bir voltaj uygulandığında MOS , yarı iletkenin iletkenliğinin değişmesine neden olan bir elektrik alanı oluşur, bu da kaynak ve drenaj arasındaki dirençte bir değişikliğe neden olur, böylece akımın modülasyonunu ve kontrolünü gerçekleştirir.
Ana parametreler: 1. Statik çalışma noktası: kaynak-drain akımı, kapı voltajı; 2. Dinamik Parametreler: Maksimum tahliye akımı, maksimum tahliye voltajı, maksimum güç tüketimi, anahtarlama süresi ve görev döngüsü vb.
Ayrıntılı Açıklama: Statik çalışma noktası, transistörünün kaynağı ve drenajı arasındaki akım MOS belirli bir voltajda sıfır olduğunda çalışma noktasını ifade eder. Genel olarak, üretici tarafından belirtilen statik çalışma noktası en uygun çalışma noktasıdır. Statik çalışma noktasından saparsa, MOS'un performansını etkileyecektir.
Dinamik parametreler, dinamik çalışma durumundaki MOS'un özelliklerini ifade eder. Maksimum tahliye akımı, MOS'un dayanabileceği maksimum akımdır. Bu değeri aşarsa, MOS hasar görecektir. Maksimum tahliye voltajı, MOS'un dayanabileceği maksimum voltajdır. Bu değeri aşarsa, MOS'un bozulmasına neden olur. Maksimum güç tüketimi, MOS'un dayanabileceği maksimum güçtür. Bu değeri aşmak MOS'un ısınmasına ve hatta hasar görmesine neden olacaktır. Anahtarlama süresi, MOS'un kapalı olarak kapatılması için gereken süreyi ifade eder ve görev döngüsü, MOS'un kapalı süresinin toplam süreye oranını ifade eder ve bu da bazı uygulamalarda özel dikkat gerektirir.
Kısacası, MOS yaygın olarak kullanılan bir yarı iletken cihazıdır. Ana parametreleri statik çalışma noktası ve dinamik parametreler içerir. Belirli uygulama senaryolarına göre uygun MOS tüp modelini ve parametrelerini seçmek gerekir.