MOS チューブ（金属酸化物 - 陰誘導体フィールド効果トランジスタ）は、金属、酸化物、半導体結晶で構成される構造である半導体デバイスです。
作業原則：特定の電圧が
のゲートに適用されると MOSトランジスタ 、電界が形成され、半導体の導電率が変化し、供給源と排水の間の抵抗の変化が生じ、電流の変調と制御が実現されます。
主なパラメーター：
1。静的動作点：ソースドレイン電流、ゲート電圧。
2。動的パラメーター：最大排水電流、最大排水電圧、最大電力消費、スイッチング時間とデューティサイクルなど。
詳細な説明：静的動作点とは、
のソースと排水の間の電流が MOSトランジスタ 特定の電圧でゼロである場合の動作点を指します。一般に、メーカーによって指定された静的動作点が最も適切な動作点です。静的動作点から逸脱すると、MOSのパフォーマンスに影響します。
動的パラメーターは、動的作業状態のMOSの特性を指します。最大排水電流は、MOSが耐えることができる最大電流です。この値を超えると、MOSは損傷します。最大排水電圧は、MOSが耐えることができる最大電圧です。この値を超えると、MOSの故障が発生します。最大消費電力は、MOSが耐えることができる最大電力です。この値を超えると、MOSが加熱され、損傷さえなります。切り替え時間とは、MOSがオフからオンにオフになるのに必要な時間を指し、デューティサイクルとは、MOSのオフ時間の合計時間との比率を指します。これには、一部のアプリケーションで特別な注意が必要です。
要するに、MOSは一般的に使用される半導体デバイスです。その主なパラメーターには、静的動作点と動的パラメーターが含まれます。特定のアプリケーションシナリオに従って、適切なMOSチューブモデルとパラメーターを選択する必要があります。
