Diodo Shot23 da série SOT23

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Diodo Shot23 da série SOT23

Pacote compacto, fácil de instalar
Dispositivo de proteção de sobretensão de alta eficiência
Queda de pressão ultra baixa
Produtos ideais para circuitos de alta frequência
Cumprir com o padrão internacional de soldagem relevante MIL-STD-202

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O diodo Schottky (Schottky) também é conhecido como retificadores de barreira schottky (SBR)) está na indústria de fornecimento de alimentação há 25 anos, é um semicondutor de velocidade ultra-alta e de alta velocidade, como o circuito de gestão, como o circuito de alta frequência, o circuito de alta frequência, o circuito de alta frequência, o circuito de alta volta e corrente de corrente Diodo, diodo de detector de sinal pequeno.

SOT-23
Alfinete	BAT54	BAT54A	BAT54C	BAT54S
1	um	K1	A1	A1
2	/	K2	A2	K2
3	K1	um	K1 、 K2	K1 、 A2

Tags quentes: Bat54 Series SOT23 SMD Schottky Barreira Diodo, China, Fabricantes, Fábrica, Price, Diodo de barreira schottky, Retificador Schottky, Diodos de barreira schottky, Diodo Schottky, Diodo de barreira Smd Schottky, Retificadores Schottky

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Solução

Sistema automotivo

Instrumentação Industrial

Interface USB

Parâmetro	Símbolo	Limites	Unidade
Pico de pico de pico de tensão reversa reversa de trabalho reverso tensão dc tensão de bloqueio	V _rrm v _rwm v _r	30	V
Corrente contínua encaminhada	Eu _fm	200	MA
Dissipação de energia	P _d	200	MW
Temperatura de armazenamento	T _stg	-55-150	℃

Parâmetro	Símbolo	Min.	TIPO.	Máx.	Unidade	Condições
Tensão de ruptura reversa	V _{(br) r}	30			V	I _R= 100μA
	V _f1			0.24	V	I _f= 0,1mA
	V _f2			0.32	V	I _f= 1Ma
	V _f3			0.40	V	I _f= 10mA
	V _f4			0.50	V	I _f= 30mA
	V _f5			1	V	I _f= 100mA
Corrente reversa	Eu _r			2	μA	V _r= 25V
Capacitância do diodo	CD			10	pf	V _r= 1v, f = 1MHz
Tempo de recuperação reversa	t _rr			5	ns	I _f= i = 10mar i _rr= 0,1xi, r = 100Ωr l

Parâmetro	Símbolo	Limites	Unidade
Pico de pico de pico de tensão reversa reversa de trabalho reverso tensão dc tensão de bloqueio	V _rrm v _rwm v _r	30	V
Corrente contínua encaminhada	Eu _fm	200	MA
Dissipação de energia	P _d	200	MW
Temperatura de armazenamento	T _stg	-55-150	℃

Parâmetro	Símbolo	Min.	TIPO.	Máx.	Unidade	Condições
Tensão de ruptura reversa	V _{(br) r}	30			V	I _R= 100μA
	V _f1			0.24	V	I _f= 0,1mA
	V _f2			0.32	V	I _f= 1Ma
	V _f3			0.40	V	I _f= 10mA
	V _f4			0.50	V	I _f= 30mA
	V _f5			1	V	I _f= 100mA
Corrente reversa	Eu _r			2	μA	V _r= 25V
Capacitância do diodo	CD			10	pf	V _r= 1v, f = 1MHz
Tempo de recuperação reversa	t _rr			5	ns	I _f= i = 10mar i _rr= 0,1xi, r = 100Ωr l

Símbolo	Milímetros		Polegadas
Símbolo	Min.	Máx.	Min.	Máx.
UM	0.900	1.150	0.035	0.045
A1	0.000	0.100	0.000	0.004
A2	0.900	1.050	0.035	0.041
b	0.300	0.500	0.012	0.020
c	0.080	0.150	0.003	0.006
D	2.800	3.000	0.110	0.118
E	1.200	1.400	0.047	0.055
E1	2.250	2.550	0.089	0.100
e	0,950TYP.		0.037Typ.
E1	1.800	2.000	0.071	0.079
L	0,550Ref.		0,022Ref.
L1	0.300	0.500	0.012	0.020
θ	0 °	8 °	0 °	8 °

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Nome	Pd	Vrrm	Se (av)	Ifrm	Ifsm	Vf	Ir	CJ
BTA54	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54A	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54C	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54S	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10