Серия SOT23 Schottky Diode

Yint home » Продукция » Силовые диоды » Шоттские диоды » Серия SOT23

Поделиться с:

Серия SOT23 Schottky Diode

Компактный пакет, простой в установке
Высокоэффективное устройство защиты от перенапряжения
Ультра-низкое перепад давления
Идеальные продукты для высокочастотных цепей
Соответствует соответствующему сварке международного стандарта MIL-STD-202

Доступность:

Количество:



Запросить Добавить в корзину

Schottky (Schottky) diode is also known as Schottky barrier Rectifiers (SBR),) has been in the power supply industry for 25 years, it is a low-power, ultra-high speed semiconductor devices, widely used in switching power supplies, frequency converters, Driver circuit, such as high frequency, low voltage, high current rectifier diode, continuous current diode, protection diode, or microwave communication circuit as rectifier диод, небольшой диод детектора сигнала.

SOT-23
Приколоть	BAT54	BAT54A	BAT54C	BAT54S
1	а	K1	А1	А1
2	/	К2	A2	К2
3	K1	а	K1 、 K2	K1 、 A2

Горячие теги: серия BAT54 SOT23 SMD Schottky Barrier Diode, Китай, производители, завод, цена, Шоткийский барьерный диод, Шоттский выпрямитель, Шотчские барьерные диоды, Шоттский диод, SMD Schottky Barrier Diode, Шоттские выпрямители

Категория продукта

Быстрые ссылки

Решение

Автомобильная система

Промышленные инструменты

USB -интерфейс

Связанные новости

Зарегистрируйтесь в нашей бюллетене

Наши продукты

О НАС

Больше ссылок

СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ

F4, #9 Tus-Caohejing Sceience Park,
№ 199 Guangfulin E Road, Шанхай 201613

Телефон: +86-18721669954
Факс: +86-21-67689607
Электронная почта: global@yint.com. CN

Параметр	Символ	Ограничения	Единица
Пиковое повторяющееся пиковое обратное напряжение	V _rrm v _rwm v _r	30	V.
Вперед непрерывный ток	Я _fm	200	магистр
Рассеяние власти	П.	200	МВт
Температура хранения	T _Stg	-55-150	℃

Параметр	Символ	Мин	Тип	Максимум	Единица	Условия
Обратное напряжение разбивки	V _{(Br) r}	30			V.	I _r= 100 мкА
	V _F1			0.24	V.	I _F= 0,1 мА
	V _F2			0.32	V.	I _f= 1ma
	V _F3			0.40	V.	I _F= 10 мА
	V _F4			0.50	V.	I _F= 30 мА
	V _F5			1	V.	I _F= 100 мА
Обратный ток	Я			2	μa	V _r= 25В
Диодная емкость	C _D.			10	пф	V _r= 1v, f = 1 МГц
Время восстановления обратного восстановления	т _рр			5	нс	I _f= i = 10mar i _rr= 0,1xi, r = 100ωr l

Параметр	Символ	Ограничения	Единица
Пиковое повторяющееся пиковое обратное напряжение	V _rrm v _rwm v _r	30	V.
Вперед непрерывный ток	Я _fm	200	магистр
Рассеяние власти	П.	200	МВт
Температура хранения	T _Stg	-55-150	℃

Параметр	Символ	Мин	Тип	Максимум	Единица	Условия
Обратное напряжение разбивки	V _{(Br) r}	30			V.	I _r= 100 мкА
	V _F1			0.24	V.	I _F= 0,1 мА
	V _F2			0.32	V.	I _f= 1ma
	V _F3			0.40	V.	I _F= 10 мА
	V _F4			0.50	V.	I _F= 30 мА
	V _F5			1	V.	I _F= 100 мА
Обратный ток	Я			2	μa	V _r= 25В
Диодная емкость	C _D.			10	пф	V _r= 1v, f = 1 МГц
Время восстановления обратного восстановления	т _рр			5	нс	I _f= i = 10mar i _rr= 0,1xi, r = 100ωr l

Символ	Миллиметры		Дюймы
Символ	Мин	Максимум	Мин	Максимум
А	0.900	1.150	0.035	0.045
А1	0.000	0.100	0.000	0.004
A2	0.900	1.050	0.035	0.041
беременный	0.300	0.500	0.012	0.020
в	0.080	0.150	0.003	0.006
Дюймовый	2.800	3.000	0.110	0.118
Эн	1.200	1.400	0.047	0.055
E1	2.250	2.550	0.089	0.100
эн	0,950typ.		0,037typ.
E1	1.800	2.000	0.071	0.079
Л	0,550REF.		0,022REF.
L1	0.300	0.500	0.012	0.020
θ	0 °	8 °	0 °	8 °

Имя	ПД	VRRM	If (av)	IFRM	IFSM	Vf.	Ир	CJ
BTA54	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54A	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54C	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54S	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10

Серия SOT23 Schottky Diode

Категория продукта

Быстрые ссылки

Решение

Связанные новости

Наши продукты

О НАС

Больше ссылок

СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ

Социальные сети