Serie SOT23 diodo Schottky

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Serie SOT23 diodo Schottky

Pacchetto compatto, facile da installare
Dispositivo di protezione da sovratensione ad alta efficienza
Caduta di pressione in avanti ultra-bassa
Prodotti ideali per circuiti ad alta frequenza
Rispettare la saldatura pertinente International Standard MIL-STD-202

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Schottky (Schottky) diode is also known as Schottky barrier Rectifiers (SBR),) has been in the power supply industry for 25 years, it is a low-power, ultra-high speed semiconductor devices, widely used in switching power supplies, frequency converters, Driver circuit, such as high frequency, low voltage, high current rectifier diode, continuous current diode, protection diode, or microwave communication circuit Come diodo del raddrizzatore, diodo del rilevatore di segnale piccolo.

SOT-23
Spillo	BAT54	BAT54A	BAT54C	BAT54S
1	UN	K1	A1	A1
2	/	K2	A2	K2
3	K1	UN	K1 、 K2	K1 、 A2

Hot Tags: BAT54 Series SOT23 SMD Schottky Barrier Diede, Cina, produttori, fabbrica, prezzo, Diodo barriera Schottky, Raddrizzatore Schottky, Diodi barriera Schottky, Diodo Schottky, Diodo barriere SMD Schottky, Raddrizzatori di Schottky

Categoria del prodotto

Collegamenti rapidi

Soluzione

Sistema automobilistico

Strumentazione industriale

Interfaccia USB

Parametro	Simbolo	Limiti	Unità
Picco di picco ripetitivo Tensione inversa inversa di lavoro Tensione inversa CC Tensione di blocco	V _rrm v _rwm v _r	30	V
Corrente continua in avanti	I _FM	200	Ma
Dissipazione del potere	P _d	200	MW
Temperatura di conservazione	T _stg	-55-150	℃

Parametro	Simbolo	Min.	Tipo.	Max.	Unità	Condizioni
Tensione di rottura inversa	V _{(Br) r}	30			V	I _r= 100μA
	V _F1			0.24	V	I _f= 0,1 mA
	V _f2			0.32	V	I _f= 1ma
	V _F3			0.40	V	I _f= 10Ma
	V _f4			0.50	V	I _F= 30Ma
	V _f5			1	V	I _f= 100Ma
Corrente inversa	I _r			2	μA	V _r= 25v
Capacità del diodo	CD			10	pf	V _r= 1V, f = 1MHz
Tempo di recupero inverso	T _rr			5	ns	I _f= i = 10mar i _rr= 0,1xi, r = 100Ωr l

Parametro	Simbolo	Limiti	Unità
Picco di picco ripetitivo Tensione inversa inversa di lavoro Tensione inversa CC Tensione di blocco	V _rrm v _rwm v _r	30	V
Corrente continua in avanti	I _FM	200	Ma
Dissipazione del potere	P _d	200	MW
Temperatura di conservazione	T _stg	-55-150	℃

Parametro	Simbolo	Min.	Tipo.	Max.	Unità	Condizioni
Tensione di rottura inversa	V _{(Br) r}	30			V	I _r= 100μA
	V _F1			0.24	V	I _f= 0,1 mA
	V _f2			0.32	V	I _f= 1ma
	V _F3			0.40	V	I _f= 10Ma
	V _f4			0.50	V	I _F= 30Ma
	V _f5			1	V	I _f= 100Ma
Corrente inversa	I _r			2	μA	V _r= 25v
Capacità del diodo	CD			10	pf	V _r= 1V, f = 1MHz
Tempo di recupero inverso	T _rr			5	ns	I _f= i = 10mar i _rr= 0,1xi, r = 100Ωr l

Simbolo	Millimetri		Pollici
Simbolo	Min.	Max.	Min.	Max.
UN	0.900	1.150	0.035	0.045
A1	0.000	0.100	0.000	0.004
A2	0.900	1.050	0.035	0.041
B	0.300	0.500	0.012	0.020
C	0.080	0.150	0.003	0.006
D	2.800	3.000	0.110	0.118
E	1.200	1.400	0.047	0.055
E1	2.250	2.550	0.089	0.100
e	0.950typ.		0.037Typ.
E1	1.800	2.000	0.071	0.079
L	0,550Ref.		0,022ref.
L1	0.300	0.500	0.012	0.020
θ	0 °	8 °	0 °	8 °

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Nome	Pd	VRRM	If (AV)	Ifrm	Ifsm	Vf	Ir	CJ
Bta54	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54A	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54C	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10
BAT54S	225	30	0.2	300	0.6	0,32 0,8	2.0	10