Quan điểm: 0 Tác giả: Trình chỉnh sửa trang web xuất bản Thời gian: 2023-06-25 Nguồn gốc: Địa điểm
Do nhu cầu cải thiện hiệu suất và hạn chế chi phí, các vật liệu mới, nền tảng và thiết kế liên tục được nghiên cứu trong ngành công nghiệp bán dẫn. Trong thập kỷ qua, một số chất bán dẫn hỗn hợp, như gallium arsenide (GAA) cho tần số radio (RF) và silicon cacbua (SIC).
Vì vậy, chất nền bán dẫn mới nổi nào sẽ là người thay đổi trò chơi tiếp theo? Trong báo cáo mới nhất của mình, chất nền bán dẫn mới nổi 2023, Yole Intelligence (một phần của nhóm Yole) điều tra trạng thái của các công nghệ chất nền bán dẫn mới nổi, bao gồm gallium antimonide (GASB), indium antimonide (INSB) Chất nền và mẫu. Ngoài ra, nghiên cứu thị trường và các công ty tư vấn chiến lược đã nghiên cứu các ứng dụng tiềm năng khác nhau như điện tử năng lượng, tần số vô tuyến và quang tử, bao gồm điốt laser, điốt phát sáng (đèn LED), cảm biến và máy dò.
Bao gồm GASB, INSB, GaN số lượng lớn, GA2O3, ALN số lượng lớn và kim cương, cũng như các chất nền và mẫu được thiết kế, thị trường cơ chất mới nổi trị giá 63,6 triệu đô la vào năm 2022 và ước tính sẽ tăng ở mức CAGR là 27% đến năm 2028 lên hơn 264,5 triệu đô la.
Tiến sĩ Taha Ayari, chất bán dẫn hợp chất và công nghệ cơ chất mới nổi và nhà phân tích thị trường tại Yole Intellow Sapphire) đã thâm nhập vào thị trường Điện tử điện sau một quá trình phát triển dài và dự kiến sẽ chiếm hơn 25% thị trường Điện tử điện vào năm 2028, 'Ông nói thêm. TỪ TỪ Động lực này, Yole Intelligence mong đợi tăng trưởng GaN trong các thiết bị GaN.
Mặt khác, thị trường quang điện tử đã chứng kiến sự tăng trưởng ổn định trong các thiết bị dựa trên GASB như laser và hình ảnh hồng ngoại (IR), được điều khiển bởi các ứng dụng quân sự cao cấp và thích hợp. Báo cáo cũng xem xét tình trạng thị trường INSB. Với liên quan đến các chất nền GAN số lượng lớn trong các ứng dụng tiêu dùng, công nghiệp và ô tô, thị trường được coi là ổn định, với các ứng dụng công nghiệp được thiết lập để có được sự thúc đẩy lớn hơn. Trong đại dịch, các hệ thống khử trùng/tinh chế UVC bắt đầu sử dụng các chất nền ALN số lượng lớn. Điều này sẽ đưa thị trường Chất nền ALN lên tốc độ tăng trưởng tổng hợp (CAGR) là 22% trong năm 2022-2028, cao nhất trong số tất cả các chất nền mới nổi. Xuất hiện đại dịch, các hệ thống khử trùng/tinh chế UVC bắt đầu sử dụng chất nền ALN số lượng lớn. Điều này sẽ đưa thị trường Chất nền ALN lên tốc độ tăng trưởng hợp chất (CAGR) là 22% trong năm 2022-2028, cao nhất trong số tất cả các chất nền mới nổi.
Tiến sĩ Ali Jaffal, chất bán dẫn hợp chất và công nghệ cơ chất mới nổi và nhà phân tích thị trường tại Yole Intelligence, lưu ý: 'Hoạt động cơ chất mới nổi chủ yếu tập trung vào phát triển công nghệ để chất lượng vật liệu tốt hơn, năng suất cao hơn và chi phí sản xuất thấp hơn. Điều này, kết hợp với việc tăng đường kính chất nền, sẽ thúc đẩy ngành công nghiệp cơ chất non trẻ hướng tới sản xuất hàng loạt. '
Đối với ngành công nghiệp điện tử, một xưởng đúc trưởng thành đòi hỏi ít nhất một kích thước wafer 6 inch để sản xuất khối lượng lớn. Điều này đã thúc đẩy các nhà sản xuất cơ chất tối ưu hóa các kỹ thuật chế tạo và tăng kích thước wafer. Đối với kim cương, các phương pháp đã được phát triển để có được kim cương dát lên tới 28mm x 28mm từ mật độ cao (EDP), cũng như các viên kim cương không đồng nhất được trồng đến đường kính khoảng 6 inch trên chất nền silicon hoặc sapphire từ Orbray hoặc audiatec. Ngoài ra, các chất nền GAN số lượng lớn 6 inch đã được chứng minh bằng cách sử dụng epitax pha hơi hydride (HVPE) và các kỹ thuật khác, mặc dù vẫn cần nhiều công việc hơn để cải thiện chất lượng vật liệu và đáp ứng các yêu cầu ứng dụng. Ngoài ra, đối với GA2O3, các kỹ thuật tăng trưởng tan chảy khác nhau đang được sử dụng, với EFG (tăng trưởng màng xác định cạnh) hứa hẹn nhất để đạt được các tấm 3 inch với chất lượng vật liệu chấp nhận được trong sản xuất khối lượng. Đối với các chất nền được thiết kế, các kỹ thuật phân tách và liên kết tiên tiến được sử dụng để vượt qua các thách thức của chất nền tinh thể đơn lớn hơn và chất lượng vật liệu tốt hơn.
