Näkymät: 0 Kirjailija: Sivuston editori Julkaisu Aika: 2023-06-25 Alkuperä: Paikka
Suorituskyky- ja kustannusrajoitteiden parantamisen vuoksi uusia materiaaleja, alustoja ja malleja tutkitaan jatkuvasti puolijohdeteollisuudessa. Viimeisen vuosikymmenen aikana joitain yhdistettyjä puolijohteita, kuten gallium -arsenidia (GAAS) radiotaajuudelle (RF) ja piikarbidille (SIC) voimaelektroniikan suhteen, ovat onnistuneesti kilpailleet piin ja pääsyn massamarkkinoiden kanssa.
Joten mikä nouseva puolijohdesubstraatti on seuraava pelinvaihtaja? Viimeisimmässä raportissaan Emerging Semiconductor -summaatit 2023 Yole Intelligence (osa yoliryhmää) tutkii nousevan puolijohdesubstraattitekniikan tilaa, mukaan lukien gallium -antimonidi (GASB), indium -antimonidi (INSB), bulk galliumnitridi (gan), galliumoksidi (ga2o3), bulk aluminiumin (ga2o3) ja well) ja well) ja well) ja well) ja well) ja well) ja well) ja well) ja well) ja well) ja wellium -ga2o3) Suunnitellut substraatit ja mallit. Lisäys-, markkinatutkimus- ja strategiset konsultointiyritykset ovat tutkineet erilaisia potentiaalisia sovelluksia, kuten tehoelektroniikkaa, radiotaajuutta ja fotoniikkaa, mukaan lukien laser diodit, valoa säteilevät diodit (LED), anturit ja ilmaisimet.
Sisältää GASB: n, INSB: n, irtotavarana, GA2O3: n, irtotavarana ja timantin sekä suunnitellut substraatit ja mallit, kehittyvien substraattimarkkinoiden arvo on 63,6 miljoonaa dollaria vuonna 2022, ja sen arvioidaan kasvavan CAGR: llä 27% - 2028 - yli 264,5 miljoonaa dollaria.
Yole Intelligence -yhdistelmän tohtori Taha Ayari, yhdistelmäjohde- ja nouseva substraattitekniikka ja markkinoiden analyytikko, huomauttavat, että Power Electronics -markkinat, joita ohjaavat erilaisia sovelluksia, kuten EV/HEV (sähkö- ja hybridiajoneuvot), uusiutuvia energia- ja virtalähteet, hallitsevat edelleen silikonipohjaiset teknologiat. ' Sapphire) ovat tunkeutuneet Power Electronics -markkinoille pitkän kehitysprosessin jälkeen, ja niiden odotetaan olevan yli 25% voimaelektroniikkamarkkinoista vuoteen 2028 mennessä, ', hän lisäsi. Yoletiedustelu odottaa.
Toisaalta Optoelektroniikkamarkkinoilla on tapahtunut tasaista kasvua kaasupohjaisissa laitteissa, kuten infrapuna (IR) -lasereilla ja kuvantajilla, jotka johtuvat huippuluokan ja kapealla sotilassovelluksella. Raportissa tarkastellaan myös INSB -markkinoiden asemaa. Kun markkinoiden bulk -GaN -substraatteja on kuluttaja-, teollisuus- ja autosovelluksissa. Pandemian aikana UVC -desinfiointi-/puhdistusjärjestelmät alkoivat käyttää irtotavarana alustaa. Tämä ajaa ALN-substraattimarkkinat yhdisteeksi vuotuiseen kasvuvauhtiin (CAGR) 22%: lla vuosina 2022-2028, mikä on korkein kaikista nousevista fotonisista substraateista. Pandemian, UVC-desinfiointi-/puhdistusjärjestelmien avulla aloitettiin bulkki-alna-substraattien avulla. Tämä ajaa ALN-substraattimarkkinat yhdisteeksi vuotuiseen kasvuvauhtiin (CAGR) 22%: lla vuosina 2022-2028, mikä on korkein kaikista nousevista fotonisista substraateista.
Tohtori Ali Jaffal, yhdistetty puolijohde ja kehittyvä substraattitekniikka ja Yole Intelligence -markkinoiden analyytikko totesi: 'Emerging Substraatt -toiminta keskittyy pääasiassa teknologian kehittämiseen paremman materiaalin laadun, korkeamman tuottojen ja pienempien tuotantokustannusten suhteen.' Tätä työntöä on tuettava markkinoiden kysyntään ja volyymissovelluksille, jotka määrittelevät eri substraattien oikeat eritelmät. Tämä yhdistettynä kasvaviin substraatin halkaisijoihin ajaa syntyvää substraattiteollisuutta kohti massatuotantoa. '
Power Electronics -teollisuudelle kypsä valimo vaatii vähintään 6 tuuman kiekkokoon suuren määrän tuotantoon. Tämä on saanut substraatin valmistajat optimoimaan valmistustekniikat ja lisäämään kiekkojen kokoa. Timanttien osalta on kehitetty menetelmiä upotettujen timanttien saamiseksi jopa 28 mm x 28 mm: n syövytystä sävelkorkeuden tiheydestä (EDP), samoin kuin heterogeenisistä timanteista, joita on kasvatettu noin 6 tuuman halkaisijaksi pii- tai safiiri -substraatteihin Orbray tai Audiac. Lisäksi 6 tuuman irtotavarana GaN-substraatit on osoitettu käyttämällä hydridihöyryn faasin epitaksia (HVPE) ja muita tekniikoita, vaikka materiaalin laadun parantamiseksi ja sovellusvaatimusten täyttämiseksi tarvitaan vielä enemmän työtä. Myös GA2O3: lle käytetään erilaisia sulamiskasvutekniikoita, ja EFG (Edge-määritelty kalvokasvu) lupaavin saavuttaa 6 tuuman kiekot, joilla on hyväksyttävä materiaalin laatu volyymituotannossa. Suunniteltujen substraattien kohdalla edistyneitä jako- ja sidostekniikoita käytetään suurempien yhden kidesubstraattien haasteiden ja paremman materiaalin laadun voittamiseksi.
