由於需要提高性能和成本限制，新材料，平台和設計不斷在半導體行業進行研究。在過去的十年中，一些複合的半導體，例如射電頻率（RF）（RF）和矽碳化物（SIC）（SIC）的電力電子產品和電力電子的競爭，並成功地競爭了矽膠市場。
那麼，哪個新興的半導體基板將是下一個改變遊戲規則的人？在其最新報告（Yole Group的一部分）中，新興的半導體底物在2023年，研究了新興的半導體底物技術，包括甘露劑殼（GASB），鑑-MONIDE（GASB），Insimimimide（Insb），耐甘油（GAN），nitride（gan），Gallium odmond（galium calim of calimin and gallim calim and olk2o333333333）另外，作為工程的底物和模板。此外，市場研究和戰略諮詢公司研究了各種潛在的應用，例如電力電子，射頻和光子學，包括激光二極管，發光二極管（LED），傳感器和檢測器。
包括GASB，INSB，BOLK GAN，GA2O3，BOLK ALN和DIAMOND，以及工程的底物和模板，新興的底物市場在2022年價值6,360萬美元，估計在2028年至2028年以上的CAGR上增長了27％。
Yole Intelligence的化合物半導體和新興的底物技術和市場分析師Taha Ayari博士指出，由EV/HEV（電動和混合車）等多種應用驅動的電力電子市場，可再生能源和電源，可再生能源和電源，仍然由基於矽的材料及其較長的GRAP Quan and Grgap。他補充說：“矽或藍寶石）在長期開發過程後已經滲透到電力電子市場，並預計到2028年，他將佔電力電子市場的25％以上。
另一方面，在高端和利基軍事應用驅動的基於燃氣的設備（例如紅外（IR）激光器和成像器）中，光電市場已經穩定增長。該報告還審查了INSB市場狀況。與消費者，工業和汽車應用中的批量GAN基板有關，該市場被認為是穩定的，工業應用程序設置為更大的提高。在大流行期間，UVC消毒/純化系統開始使用大量ALN底物。這將使ALN底物市場在2022 - 2028年期間達到22％的複合年增長率（CAGR），這是所有新興光子底物中最高的。這將使ALN底物市場在2022 - 2028年期間達到22％的複合年增長率（CAGR），這是所有新興光子底物中最高的。
Yole Intelligence的化合物半導體和新興的基板技術和市場分析師Ali Jaffal博士指出：“新興的底物活動主要集中在技術開發上，以提高技術的質量，更高的材料質量，更高的收益率和較低的生產成本。 “當然，此外，這一推動力需要由針對不同次級應用程序的市場需求和數量應用程序來支持，以確定不同的次要應用程序。加上增加的底物直徑，將推動新生的底物行業邁向大眾生產。 ”
對於電力電子行業，成熟的鑄造廠需要至少6英寸的晶圓尺寸來生產大量的生產。這促使基材製造商優化製造技術並增加晶圓尺寸。對於鑽石，已經開發出方法可以從蝕刻的音高密度（EDP）獲得高達28mm x 28mm的鑲嵌鑽石，以及從Orbray或Audiatec的矽或藍寶石底物上生長到直徑約為6英寸的異質鑽石。此外，使用Hydride蒸氣相（HVPE）和其他技術證明了6英寸散裝GAN基材，儘管仍然需要更多的工作來改善材料質量並滿足應用程序要求。同樣對於GA2O3，正在使用不同的熔體生長技術，EFG（邊緣定義的膜增長）最有希望獲得具有可接受材料質量在體積生產中的6英寸晶片。對於工程的底物，使用高級分裂和粘結技術來克服較大的單晶基板的挑戰和更好的材料質量。
