由于需要提高性能和成本限制，新材料，平台和设计不断在半导体行业进行研究。在过去的十年中，一些复合的半导体，例如射电频率（RF）（RF）和硅碳化物（SIC）（SIC）的电力电子产品和电力电子的竞争，并成功地竞争了硅胶市场。
那么，哪个新兴的半导体基板将是下一个改变游戏规则的人？在其最新报告（Yole Group的一部分）中，新兴的半导体底物在2023年，研究了新兴的半导体底物技术，包括甘露剂壳（GASB），鉴-MONIDE（GASB），Insimimimide（Insb），耐甘油（GAN），nitride（gan），Gallium odmond（galium calim of calimin and gallim calim and olk2o333333333）另外，作为工程的底物和模板。此外，市场研究和战略咨询公司研究了各种潜在的应用，例如电力电子，射频和光子学，包括激光二极管，发光二极管（LED），传感器和检测器。
包括GASB，INSB，BOLK GAN，GA2O3，BOLK ALN和DIAMOND，以及工程的底物和模板，新兴的底物市场在2022年价值6,360万美元，估计在2028年至2028年以上的CAGR上增长了27％。
Yole Intelligence的化合物半导体和新兴的底物技术和市场分析师Taha Ayari博士指出，由EV/HEV（电动和混合车）等多种应用驱动的电力电子市场，可再生能源和电源，可再生能源和电源，仍然由基于硅的材料及其较长的GRAP Quan and Grgap。他补充说：“硅或蓝宝石）在长期开发过程后已经渗透到电力电子市场，并预计到2028年，他将占电力电子市场的25％以上。
另一方面，在高端和利基军事应用驱动的基于燃气的设备（例如红外（IR）激光器和成像器）中，光电市场已经稳定增长。该报告还审查了INSB市场状况。与消费者，工业和汽车应用中的批量GAN基板有关，该市场被认为是稳定的，工业应用程序设置为更大的提高。在大流行期间，UVC消毒/纯化系统开始使用大量ALN底物。这将使ALN底物市场在2022 - 2028年期间达到22％的复合年增长率（CAGR），这是所有新兴光子底物中最高的。这将使ALN底物市场在2022 - 2028年期间达到22％的复合年增长率（CAGR），这是所有新兴光子底物中最高的。
Yole Intelligence的化合物半导体和新兴的基板技术和市场分析师Ali Jaffal博士指出：“新兴的底物活动主要集中在技术开发上，以提高技术的质量，更高的材料质量，更高的收益率和较低的生产成本。 “当然，此外，这一推动力需要由针对不同次级应用程序的市场需求和数量应用程序来支持，以确定不同的次要应用程序。加上增加的底物直径，将推动新生的底物行业迈向大众生产。 ”
对于电力电子行业，成熟的铸造厂需要至少6英寸的晶圆尺寸来生产大量的生产。这促使基材制造商优化制造技术并增加晶圆尺寸。对于钻石，已经开发出方法可以从蚀刻的音高密度（EDP）获得高达28mm x 28mm的镶嵌钻石，以及从Orbray或Audiatec的硅或蓝宝石底物上生长到直径约为6英寸的异质钻石。此外，使用Hydride蒸气相（HVPE）和其他技术证明了6英寸散装GAN基材，尽管仍然需要更多的工作来改善材料质量并满足应用程序要求。同样对于GA2O3，正在使用不同的熔体生长技术，EFG（边缘定义的膜增长）最有希望获得具有可接受材料质量在体积生产中的6英寸晶片。对于工程的底物，使用高级分裂和粘结技术来克服较大的单晶基板的挑战和更好的材料质量。
