HLG2301A1N SOT-23

MOSFET, bóng bán dẫn hiệu ứng trường học trường học oxit kim loại là một loại bóng bán dẫn hiệu ứng trường (FET), thường được chế tạo bởi quá trình oxy hóa có kiểm soát của silicon. Nó có một cổng cách nhiệt, điện áp xác định độ dẫn của thiết bị. Khả năng thay đổi độ dẫn điện này với lượng điện áp ứng dụng có thể được sử dụng để khuếch đại hoặc chuyển đổi tín hiệu điện tử. Một bóng bán dẫn hiệu ứng trường học-in-seman-seman-actionor (MISFET) là một thuật ngữ gần như đồng nghĩa với MOSFET. Một từ đồng nghĩa khác là IGFET cho bóng bán dẫn hiệu ứng trường được cách điện.

MOSFET cho đến nay là bóng bán dẫn phổ biến nhất trong các mạch kỹ thuật số, vì hàng tỷ có thể được đưa vào chip bộ nhớ hoặc bộ vi xử lý. Vì MOSFET có thể được thực hiện bằng các chất bán dẫn loại P hoặc loại N, nên các cặp bóng bán dẫn MOS bổ sung có thể được sử dụng để thực hiện các mạch chuyển đổi với mức tiêu thụ năng lượng rất thấp, dưới dạng logic CMOS.

Shanghai Yint Electronic Co., Ltd, một trong những nhà sản xuất chính ở Trung Quốc, hơn mười năm kinh nghiệm trong việc sản xuất MOSFET và cung cấp sản phẩm của chúng tôi cho hàng ngàn đối tác. Các sản phẩm của chúng tôi cũng bao gồm TV DIODE, PPTC, ESD, SBR, MOV, NTC, TSS, GDT, cuộn cảm điện, wafer, v.v.

Thẻ nóng: HLG2301A1N SOT-23, Trung Quốc, nhà sản xuất, nhà máy, giá cả,