HLG2301A1N SOT-23
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MOSFET, मेटल-ऑक्साइड-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर एक प्रकार का फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (FET) है, जो आमतौर पर सिलिकॉन के नियंत्रित ऑक्सीकरण द्वारा निर्मित होता है। इसमें एक अछूता गेट है, जिसका वोल्टेज डिवाइस की चालकता को निर्धारित करता है। लागू वोल्टेज की मात्रा के साथ चालकता को बदलने की इस क्षमता का उपयोग इलेक्ट्रॉनिक संकेतों को बढ़ाने या स्विच करने के लिए किया जा सकता है। एक मेटल-इंसुलेटर-सेमिकंडक्टर फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर (MISFET) एक शब्द है जो MOSFET का लगभग पर्यायवाची है। एक अन्य पर्यायवाची अछूता-गेट फील्ड-इफेक्ट ट्रांजिस्टर के लिए IGFET है।


MOSFET अब तक डिजिटल सर्किट में सबसे आम ट्रांजिस्टर है, क्योंकि अरबों को मेमोरी चिप या माइक्रोप्रोसेसर में शामिल किया जा सकता है। चूंकि MOSFETS या तो P- प्रकार या N- प्रकार के अर्धचालक के साथ बनाया जा सकता है, इसलिए MOS ट्रांजिस्टर के पूरक जोड़े का उपयोग CMOS लॉजिक के रूप में बहुत कम बिजली की खपत के साथ स्विचिंग सर्किट बनाने के लिए किया जा सकता है।


शंघाई यिन्ट इलेक्ट्रॉनिक कंपनी, लिमिटेड, चीन में मुख्य निर्माताओं में से एक, MOSFET के उत्पादन में दस साल से अधिक के अनुभवों और हजारों भागीदारों को हमारे उत्पादों की आपूर्ति की। हमारे उत्पादों में टीवीएस डायोड, पीपीटीसी, ईएसडी, एसबीआर, एमओवी, एनटीसी, टीएसएस, जीडीटी, पावर इंडक्टर्स, वेफर, आदि शामिल हैं।



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