HLG2301A1N SOT-23
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HLG2301A1N SOT-23

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MOSFET, el transistor de efecto de campo de metal-óxido-semiconductor es un tipo de transistor de efecto de campo (FET), más comúnmente fabricado por la oxidación controlada de silicio. Tiene una puerta aislada, cuyo voltaje determina la conductividad del dispositivo. Esta capacidad de cambiar la conductividad con la cantidad de voltaje aplicado se puede utilizar para amplificar o cambiar las señales electrónicas. Un transistor de efecto de campo-insulador de metal-semiconductor (MISFET) es un término casi sinónimo de MOSFET. Otro sinónimo es IGFET para el transistor de efecto de campo aislado.


El MOSFET es, con mucho, el transistor más común en los circuitos digitales, ya que miles de millones pueden incluirse en un chip de memoria o microprocesador. Dado que los MOSFET se pueden hacer con semiconductores de tipo P o tipo N, se pueden usar pares complementarios de transistores MOS para hacer circuitos de conmutación con un consumo de energía muy bajo, en forma de lógica CMOS.


Shanghai Yint Electronic Co., Ltd, uno de los principales fabricantes de China, más de diez años de experiencias en la producción de MOSFET y suministró nuestros productos a miles de socios. Nuestros productos también cubren TVS Diodo, PPTC, ESD, SBR, MOV, NTC, TSS, GDT, inductores de potencia, oblea, etc.



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