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MOSFET, der Metall-Oxid-Isemiconductor-Feld-Effekt-Transistor ist eine Art Feld-Effekt-Transistor (FET), die am häufigsten durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Es hat ein isoliertes Tor, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Geräts bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Menge der angelegten Spannung zu ändern, kann zum Verstärken oder Umschalten elektronischer Signale verwendet werden. Ein Metall-INSOS den Tat-Semiconductor Field Effect Transistor (MISFET) ist ein Begriff, der fast ein Synonym für MOSFET ist. Ein weiteres Synonym ist IGFET für den Feld-Effekt-Transistor isoliert Gate.
Das MOSFET ist bei weitem der häufigste Transistor in digitalen Schaltkreisen, da Milliarden in einem Speicherchip oder Mikroprozessor aufgenommen werden können. Da MOSFets entweder mit Halbleitern vom Typ P-Typ oder N-Typ hergestellt werden können, können komplementäre Paare von MOS-Transistoren verwendet werden, um Schaltschaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch in Form einer CMOS-Logik zu erstellen.
Shanghai Yint Electronic Co., Ltd, einer der Haupthersteller in China, mehr als zehn Jahre Erfahrung in der Herstellung von MOSFET und lieferte unsere Produkte an Tausende von Partnern. Unsere Produkte umfassen auch TVS -Diode, PPTC, ESD, SBR, MOV, NTC, TSS, GDT, Strominduktoren, Wafer usw.
Heiße Tags: HLG2301A1N SOT-23, China, Hersteller, Fabrik, Preis,
MOSFET, der Metall-Oxid-Isemiconductor-Feld-Effekt-Transistor ist eine Art Feld-Effekt-Transistor (FET), die am häufigsten durch die kontrollierte Oxidation von Silizium hergestellt wird. Es hat ein isoliertes Tor, dessen Spannung die Leitfähigkeit des Geräts bestimmt. Diese Fähigkeit, die Leitfähigkeit mit der Menge der angelegten Spannung zu ändern, kann zum Verstärken oder Umschalten elektronischer Signale verwendet werden. Ein Metall-INSOS den Tat-Semiconductor Field Effect Transistor (MISFET) ist ein Begriff, der fast ein Synonym für MOSFET ist. Ein weiteres Synonym ist IGFET für den Feld-Effekt-Transistor isoliert Gate.
Das MOSFET ist bei weitem der häufigste Transistor in digitalen Schaltkreisen, da Milliarden in einem Speicherchip oder Mikroprozessor aufgenommen werden können. Da MOSFets entweder mit Halbleitern vom Typ P-Typ oder N-Typ hergestellt werden können, können komplementäre Paare von MOS-Transistoren verwendet werden, um Schaltschaltkreise mit sehr geringem Stromverbrauch in Form einer CMOS-Logik zu erstellen.
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