查询
尽管硅技术和产业链成熟，芯片制造成本较低，但材料的物理特性限制了其在光电子、高频大功率器件、高温器件等方面的应用。三代半导体材料各有不同的特性，这也决定了各自的优势，适合不同的应用场景。
首位代半导体包括硅和锗，它们具有窄的间接带隙和低的饱和电子迁移率。主要应用于低压、低频（约3GHz）、中低功率（约100W）晶体管和探测器。它们是目前半导体器件和集成电路的主要制造材料；由于产业链成熟、成本低廉，渗透率接近95%。
第二代半导体包括砷化镓、磷化铟等，它们是直接带隙，具有较高的电子迁移率。广泛应用于卫星通信、移动通信、GPS导航等领域，功率约100W，频率约100GHz。但砷化镓资源较为稀缺、价格昂贵，且材料有毒，对环境影响较大。其渗透率接近1%。
第三代半导体包括碳化硅、氮化镓等，具有禁带宽度大、击穿电场高、热导率高、电子饱和速率快、抗辐射能力强等优点。能够满足电力电子技术对高温、大功率、高压、高频、耐辐射的要求，渗透率接近5%。
事实上，随着以硅半导体材料为主的摩尔定律逐渐逼近其物理极限，具有高电子迁移率、高临界击穿场强、高热导率、直接能隙和宽能带的化合物半导体已经开始兴起，并有望成为超越摩尔定律的途径之一。
随着化合物半导体器件的日益普及和广泛应用，低损耗、低电感、高功率密度、高散热性能、高集成度、多功能等应用需求对化合物半导体器件和模块的封装提出了新的要求，正在催生不同于硅器件封装技术和产品形态的发展路线，旨在利用先进的封装技术满足上述要求的同时提高产品可靠性。
