Vistas: 0 Autor: El editor de sitios Publicar Tiempo: 2024-06-11 Origen: Sitio
Aunque la tecnología de silicio y la cadena industrial son maduras, y el costo de fabricación de chips es bajo, las propiedades físicas del material limitan su aplicación en optoelectrónica, dispositivos de alta frecuencia y alta potencia, y dispositivos de alta temperatura. Las tres generaciones de materiales semiconductores tienen diferentes características, lo que también determina sus propias ventajas y es adecuada para diferentes escenarios de aplicación.
La primera generación de semiconductores incluye silicio y germanio, que tienen espacios de banda indirectos estrechos y baja movilidad de electrones saturados. Se usan principalmente en transistores y detectores de baja frecuencia, baja frecuencia (aproximadamente 3GHz), media y baja potencia (aproximadamente 100W). Actualmente son los principales materiales de fabricación para dispositivos semiconductores y circuitos integrados; Debido a la cadena industrial madura y al bajo costo, la tasa de penetración es de casi el 95%.
La segunda generación de semiconductores incluye arsenuro de galio, fosfuro de indio, etc., que son brechas de banda directa y tienen una mayor movilidad de electrones. Son ampliamente utilizados en comunicaciones satelitales, comunicaciones móviles y campos de navegación GPS con un poder de aproximadamente 100W y una frecuencia de aproximadamente 100 GHz. Sin embargo, los recursos de Arsenide de Gallium son relativamente escasos y caros, y el material es tóxico y tiene un mayor impacto en el medio ambiente. Su tasa de penetración es de casi el 1%.
La tercera generación de semiconductores incluye carburo de silicio, nitruro de galio, etc., que tienen las ventajas del gran BandGAP, el campo eléctrico de alta ruptura, la alta conductividad térmica, la tasa rápida de saturación de electrones y la fuerte resistencia a la radiación. Pueden cumplir con los requisitos de la tecnología de electrónica de potencia para alta temperatura, alta potencia, alta voltaje, alta frecuencia y resistencia a la radiación, y su tasa de penetración es de casi el 5%.
De hecho, a medida que la ley de Moore dominó por los materiales semiconductores de silicio se acerca gradualmente a su límite físico, los semiconductores compuestos con alta movilidad de electrones, alta resistencia al campo de descomposición crítica, alta conductividad térmica, brecha directa de energía y banda de energía amplia han comenzado a aumentar, y se espera que se conviertan en una de las formas en superar la ley de Moore.
Con la creciente popularidad y la aplicación generalizada de los dispositivos de semiconductores compuestos, se han presentado nuevos requisitos para el empaque de dispositivos y módulos de semiconductores compuestos debido a las necesidades de la aplicación, como baja pérdida, baja inducción, alta densidad de potencia, alto rendimiento de disipación de calor, alta integración y multifunciones multifuncias, que están dando lugar a las rutas de desarrollo diferentes de la tecnología de la tecnología de silicio y el formulario de la tecnología de la tecnología de la punta de los productos de la tecnología de los productos de la tecnología de los productos, con el objetivo de la tecnología de la tecnología de los productos de la tecnología de la tecnología de los productos. Los requisitos anteriores al mejorar la confiabilidad del producto.
