MOSFET门源保护
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MOSFET门源保护

视图: 0     作者:网站编辑发布时间:2023-11-20来源: 地点

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MOSFET 门源保护

功率MOSTUBE本身具有许多优势,但是MosTube具有相对脆弱的能力来承受短期超负荷,尤其是在高频应用中。因此,在应用电源管时,必须为其设计合理的保护电路,以提高设备的可靠性。

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电源MOSTUBE保护电路主要包括以下方面:

 

1)防止门di/dt太高

由于使用了驱动器芯片,因此其输出阻抗较低。直接驱动电源管会导致驱动的动力管快速打开和关闭,这可能会导致电源管的排水管和电源之间的电压振荡,或者可能导致动力管遭受过多的电压。 DI/DT并引起误导性沟通。为了避免上述现象,通常在MOS驱动器的输出和MOS管的栅极之间连接电阻器。通常选择电阻的大小为数十个欧姆。

 

2)防止门和源之间的过电压

由于栅极和源的阻抗非常高,因此排水管和源之间的电压突然变化将通过电极间电容耦合到栅极,从而产生很高的栅极源尖峰电压。该电压将导致薄门源氧化物层同时,闸门很容易积聚电荷并导致栅极氧化氧化物层分解。因此,应与MOS管的栅极并行连接电压调节器管,以限制电压调节器管的电压调节器值以下的栅极电压,并保护MOS管不受击穿,MOSTUBE GATE平行电阻以释放栅极电荷并防止电荷积累。

 

3)防止排水和源之间的过电压

尽管排水源击穿电压VDS通常非常大,但如果不受保护电路的保护,则设备开关的瞬时电流突然变化会产生排水尖峰电压,从而损坏MOS管。电源管开关越快,电源管开关越快。 ,产生的过压越高。为了防止装置损坏,通常使用齐纳尔二极管夹和RC snubber电路等保护措施。

当电流太大或发生短路时,电源管的排水和源管之间的电流将迅速增加并超过额定值。必须在过电流限制指定的时间内关闭功率MOS管,否则将燃烧设备,因此将电流采样保护电路添加到主电路中。当电流达到一定值时,驱动电路通过保护电路关闭以保护MOSTUBE。

 

下图显示了MOS管的保护电路,我们可以清楚地看到保护电路的功能。

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