Tuairimí: 0 Údar: Eagarthóir Láithreáin Foilsiú Am: 2023-10-30 Tionscnamh: Suigh
Is iondúil go dtagraíonn leathsheoltóirí tríú glúin do Silicon Carbide (SIC) agus do nítríd gallium (GAN). Tháinig an ráiteas seo ón tSín agus tugtar leathsheoltóir bandgap leathan nó leathsheoltóra cumaisc go hidirnáisiúnta air den chuid is mó.
De réir na difríochta i leithead bandgap, is féidir ábhair leathsheoltóra a roinnt sna ceithre ghlúin seo a leanas.
Tá an chéad ghlúin d'ábhair leathsheoltóra léirithe ag ábhair leathsheoltóra eiliminteacha amhail sileacain agus Gearmáiniam. Is é an t -iarratas tipiciúil atá aige ná ciorcaid chomhtháite, a úsáidtear go príomha i voltas íseal, minicíocht íseal, trasraitheoirí agus brathadóirí ísealchumhachta.
Tá na hábhair leathsheoltóra dara glúin léirithe ag gallium arsenide agus ag fosfaid Indium (INP). Tá soghluaisteacht leictreon an ábhair arsenide Gallium 6 huaire níos mó ná sileacain agus tá bearna bhanna díreach aige. Dá bhrí sin, tá airíonna optoelectronic ardmhinicíochta agus ardluais ag a chuid feistí i gcomparáid le feistí sileacain, agus aithnítear é mar ábhar leathsheoltóra an-oiriúnach le haghaidh cumarsáide. Ag an am céanna, tá a chur i bhfeidhm i gcórais leictreonacha mhíleata ag éirí níos forleithne agus nach féidir a athsholáthar.
Tagraíonn na hábhair leathsheoltóra tríú glúin do nítrídí Grúpa III (mar shampla gallium nítríd (GAN), nítríd alúmanaim (ALN), etc.), cairbíd sileacain, leathsheoltóirí ocsaíd (amhail ocsaíd since (ZnO), gallium oxide (ga2o3), etc. cailciam ar fud na n -ábhair semiconductor amhail TitiO3). I gcomparáid leis an gcéad dá ghlúin d'ábhair leathsheoltóra, tá banda mór ag an tríú glúin d'ábhair leathsheoltóra agus tá airíonna níos fearr aige amhail réimse leictreach ard -mhiondealú, seoltacht teirmeach ard, ráta sáithiúcháin leictreon ard, agus friotaíocht radaíochta láidir.
Tagraíonn an ceathrú leathsheoltóra glúin d'ábhair leathsheoltóra bhearna bhanna ar fud an-leathan, mar shampla ocsaíd gallium (Ga2O3), diamant (C), agus nítríd alúmanaim (ALN), chomh maith le leathsheoltóirí bannaí ultra-narrow ar nós antimonide gallium (GASB) agus indium antimonide (insb).
I gcomparáid leis na leathsheoltóirí den chéad agus an dara glúin, tá tréithe ardchumhachta, minicíochta ard, brú ard agus friotaíocht ardteochta ag na leathsheoltóirí tríú glúin, agus tá siad oiriúnach le húsáid i réimsí atá ag teacht chun cinn mar fheithiclí fuinnimh nua, stáisiúin bhunaidh 5G, stóráil fuinnimh fótavoltach, agus ionaid sonraí. Ábhar.
I gcomparáid le feistí sileacain-bhunaithe, taispeánann feistí cumhachta atá déanta as ábhair charbide sileacain airíonna fisiceacha níos fearr i gcásanna ardvoltais agus baineadh úsáid as go forleathan i inverters feithiclí fuinnimh nua agus in inbhéartaithe fótavoltacha.
Is féidir ábhair nítríde Gallium a dhéanamh i gcumhacht, i minicíocht raidió, agus i bhfeistí optoelectronic, ag brath ar a struchtúr ciseal eipiciúil. Is minic a úsáideann feistí cumhachta nítríde gallium foshraitheanna sileacain, agus úsáidtear iad go forleathan anois sa mhargadh luchtaire tomhaltóra; Baineann feistí minicíochta raidió úsáid as ábhair charbide sileacain den chuid is mó mar fhoshraitheanna, atá an -oiriúnach do bhunstáisiúin 5G, do radar míleata agus do chásanna eile; Maidir le feistí optoelectronic, úsáidtear foshraitheanna sapphire tá soilse déanta as nítríd gallium an -aibí cheana féin.
Is féidir foshraith cairbíde sileacain a úsáid chun feistí cumhachta cairbíde sileacain a ullmhú agus feistí minicíochta raidió nítríde gallium, agus meastar gurb é an croí -amhábhar den leathsheoltóra tríú glúin é. Mar sin féin, tá sé teoranta faoi láthair ag an modh fáis PVT, rud a fhágann go bhfuil sé an -deacair olltáirgeadh a dhéanamh. Tá monaróirí ar nós Wolfspeed ag cur 6 orlach go 8 n -orlach chun cinn. Ina theannta sin, tá modhanna fáis atá ag teacht chun cinn amhail modhanna céim leachtacha ag forbairt freisin.
