Maoni: 0 Mwandishi: Mhariri wa Tovuti Chapisha Wakati: 2023-10-30 Asili: Tovuti
Semiconductors ya kizazi cha tatu kawaida hurejelea silicon carbide (SIC) na gallium nitride (GaN). Taarifa hii ilitoka China na inaitwa semiconductor pana au semiconductor ya kiwanja kimataifa.
Kulingana na tofauti ya upana wa bandgap, vifaa vya semiconductor vinaweza kugawanywa katika vizazi vinne vifuatavyo.
Kizazi cha kwanza cha vifaa vya semiconductor vinawakilishwa na vifaa vya msingi vya semiconductor kama vile silicon na germanium. Maombi yake ya kawaida ni mizunguko iliyojumuishwa, inayotumika katika voltage ya chini, masafa ya chini, transistors za nguvu za chini na vifaa vya kugundua.
Vifaa vya semiconductor ya kizazi cha pili vinawakilishwa na gallium arsenide na phosphide ya indium (INP). Uhamaji wa elektroni wa nyenzo za gallium arsenide ni mara 6 ya Silicon na ina pengo la moja kwa moja la bendi. Kwa hivyo, vifaa vyake vina hali ya juu na ya kasi ya optoelectronic ikilinganishwa na vifaa vya silicon, na inatambulika kama nyenzo inayofaa sana ya semiconductor kwa mawasiliano. Wakati huo huo, matumizi yake katika mifumo ya elektroniki ya kijeshi inazidi kuenea na kutoweza kubadilika.
Vifaa vya semiconductor ya kizazi cha tatu hurejelea nitrides ya Kikundi cha III (kama vile gallium nitride (GaN), aluminium nitride (ALN), nk), carbide ya silicon, semiconductors ya oxide (kama vile zinki oxide (ZnO), galliamu oxide (Ga2O3), calcium ssemiconduct) calciondap ssemiconductap) calciond seseconduct) calciondap sesemium sesemium sesemimu. almasi. Ikilinganishwa na vizazi viwili vya kwanza vya vifaa vya semiconductor, kizazi cha tatu cha vifaa vya semiconductor ina bandgap kubwa na ina mali bora kama uwanja wa umeme wa kuvunjika, hali ya juu ya mafuta, kiwango cha juu cha elektroni, na upinzani mkubwa wa mionzi.
Semiconductor ya kizazi cha nne inahusu vifaa vya semiconductor ya kiwango cha juu kama vile galliamu oxide (Ga2O3), almasi (C), na nitride ya alumini (ALN), na vile vile semiconductors ya pengo la ultra-narrow.
Ikilinganishwa na semiconductors ya kizazi cha kwanza na cha pili, semiconductors ya kizazi cha tatu ina sifa za nguvu kubwa, frequency kubwa, shinikizo kubwa na upinzani mkubwa wa joto, na ni bora kwa matumizi katika uwanja unaoibuka kama magari mapya ya nishati, vituo vya msingi vya 5G, uhifadhi wa nishati ya Photovoltaic, na vituo vya data. Nyenzo.
Ikilinganishwa na vifaa vya msingi wa silicon, vifaa vya nguvu vilivyotengenezwa na vifaa vya carbide ya silicon vinaonyesha mali bora za mwili katika hali ya juu ya voltage na zimetumika sana katika inverters mpya ya gari na viboreshaji vya picha.
Vifaa vya nitride ya Gallium vinaweza kufanywa kwa nguvu, masafa ya redio, na vifaa vya optoelectronic, kulingana na muundo wao wa safu ya epitaxial. Vifaa vya nguvu vya Gallium Nitride mara nyingi hutumia substrates za silicon, na sasa hutumiwa sana katika soko la chaja ya watumiaji; Vifaa vya frequency ya redio hutumia vifaa vya carbide ya silicon kama sehemu ndogo, ambazo zinafaa sana kwa vituo vya msingi vya 5G, rada za kijeshi na hali zingine; Kwa upande wa vifaa vya optoelectronic, sehemu ndogo za sapphire hutumiwa LEDs zilizotengenezwa na nitride ya gallium tayari ni kukomaa sana.
Sehemu ndogo ya carbide ya Silicon inaweza kutumika kuandaa vifaa vya nguvu vya carbide ya silicon na vifaa vya mzunguko wa redio ya Gallium nitride, na inachukuliwa kama malighafi ya msingi ya semiconductor ya kizazi cha tatu. Walakini, kwa sasa ni mdogo na njia ya ukuaji wa PVT, ambayo inafanya uzalishaji wa misa kuwa ngumu sana. Watengenezaji kama vile Wolfspeed wanakuza inchi 6 hadi inchi 8. Kwa kuongezea, njia zinazoibuka za ukuaji kama njia za awamu ya kioevu pia zinaendelea.
