Views: 0 စာရေးသူ - ဆိုဒ်အယ်ဒီတာကို PRIENTER PRUDE TIME PRADED ဆိုဘ်ဆိုက်
တတိယမျိုးဆက် semiconductors များသည် silicon carbide (SIC) နှင့်ဂယ်လီယမ် Nitride (GAN) ကိုရည်ညွှန်းသည်။ ဒီကြေငြာချက်ကိုတရုတ်နိုင်ငံမှဆင်းသက်လာပြီးအများအားဖြင့်ဘ်ဆိုက်ကျယ်ပြန့်သော bandgap semiconductor သို့မဟုတ် semiconductor ကိုနိုင်ငံတကာတွင်ဖြစ်သည်။
Bandgap Width တွင်ကွဲပြားခြားနားမှုအရ Semiconductor ပစ္စည်းများသည်အောက်ပါမျိုးဆက် 4 မျိုးဆက်သို့ခွဲခြားနိုင်သည်။
Semiconductor ပစ္စည်းများ၏ပထမဆုံးမျိုးဆက်ကိုဆီလီကွန်နှင့်ဂျာမနီယမ်ကဲ့သို့သော Elementalonductor ပစ္စည်းများကကိုယ်စားပြုသည်။ ၎င်း၏ပုံမှန် application သည်အဓိကအားဖြင့်ပေါင်းစပ်ထားသော circuit များဖြစ်ပြီးအဓိကအားဖြင့်အနိမ့်အနိမ့်နိမ့်နိမ့်,
ဒုတိယမျိုးဆက် SemiconDuctor ပစ္စည်းများသည်ဂယ်လီယမ်အာဆင်နယ်နှင့်အင်ဒီယမ်ဖော့စဖစ်ဒူး (INP) မှကိုယ်စားပြုသည်။ ဂယ်လီယမ်၏အီလက်ထရွန်ရွေ့လျားမှုအာဆင်နယ်အသင်းသည်ဆီလီကွန်၏ 6 ဆဖြစ်သည်။ ထို့ကြောင့်၎င်းသည်ဆီလီကွန်စက်များနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင်၎င်း၏ထုတ်ကုန်များသည်ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားပြီးမြန်နှုန်းမြင့် Optoellectronic ဂုဏ်သတ္တိများရှိသည်။ တစ်ချိန်တည်းမှာပင်၎င်း၏စစ်ရေးအရအီလက်ထရောနစ်စနစ်များတွင်လျှောက်လွှာသည်ကျယ်ပြန့်စွာကျယ်ပြန့်စွာနှင့်အစားထိုးမရနိုင်ပါ။
တတိယမျိုးဆက် SemiconDuctor ပစ္စည်းများ (ဥပမာ - silium အောက်ဆိုဒ်), ဆီလီကွန်အောက်ဆိုဒ် (zno), ဂယ်လ်ယမ်အောက်ဆိုဒ် (ဇွန်လုက), ဂယ်လ်ယမ်အောက်ဆိုဒ် (zno အောက်ဆိုဒ်), နှင့်စိန်။ Semiconductor ပစ္စည်းများ၏ပထမမျိုးဆက်နှစ်ခုနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် Semiconductor ပစ္စည်းများသည်ကြီးမားသော bandgap ကြီးမားသော bandgap ကြီးမားပြီးမြင့်မားသောဒြပ်ထု seetivation နှုန်း,
The fourth generation semiconductor refers to ultra-wide band gap semiconductor materials such as gallium oxide (Ga2O3), diamond (C), and aluminum nitride (AlN), as well as ultra-narrow band gap semiconductors such as gallium antimonide (GaSb) and indium antimonide (InSb).
ပထမနှင့်ဒုတိယမျိုးဆက်ဆိုင်ရာ semicemments များနှင့်နှိုင်းယှဉ်ပါကတတိယမြောက်မျိုးဆက်များ, ကြိမ်နှုန်းမြင့်မားခြင်း, ပစ္စည်း။
ဆီလီကွန်အခြေစိုက်ကိရိယာများနှင့်နှိုင်းယှဉ်လျှင် silicon carbide ပစ္စည်းများဖြင့်ပြုလုပ်ထားသောလျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများသည်မြင့်မားသောဗို့အားမဆိုသည့်နေရာများတွင်ပိုမိုကောင်းမွန်သောရုပ်ပိုင်းဆိုင်ရာဂုဏ်သတ္တိများကိုပြသနိုင်ပြီးစွမ်းအင်အသစ်ပြောင်းခြင်းနှင့် Photovoltaic Inverters အသစ်တွင်ကျယ်ပြန့်စွာအသုံးပြုသည်။
ဂယ်ရီယမ်နိုက်စီယစ်ကိုလျှပ်စစ်ရေဒီယိုနှင့် optoelelectronic devices များနှင့်၎င်းတို့၏ epitaxial layer ဖွဲ့စည်းပုံပေါ် မူတည်. ပါ 0 င်နိုင်သည်။ ဂယ်လီယမ်နိုက်စီယမ်လျှပ်စစ်ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများသည်ဆီလီကွန်အလွှာများကိုမကြာခဏအသုံးပြုလေ့ရှိပြီးယခုအခါစားသုံးသူအားသွင်းစက်ဈေးကွက်တွင်ယခုကျယ်ကျယ်ပြန့်ပြန့်အသုံးပြုကြသည်။ ရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းပစ္စည်းကိရိယာများသည် silicon carbide ပစ္စည်းများကိုအများအားဖြင့် အသုံးပြု. 5G အခြေစိုက်စခန်းများ, စစ်ရေနှင့်အခြားအခြေအနေများအတွက်အလွန်သင့်လျော်သောအလွှာများအဖြစ်အသုံးပြုကြသည်။ Optoelectronic ထုတ်ကုန်များအရ Sapphire အလွှာများကို Gallium Nitride တွင်ပြုလုပ်ထားသော LEDs များကိုအသုံးပြုသည်။
ဆီလီကွန်ကာဗွန်အလွှာများကိုဆီလီကွန်ကာလက်ဓာတ်အားပေးစက်ရုံများနှင့်ဂယ်ရီယမ်နိုက်ထရီရေဒီယိုကြိမ်နှုန်းပစ္စည်းကိရိယာများကိုပြင်ဆင်ရန်အသုံးပြုသည်။ သို့သော်၎င်းသည်လက်ရှိထုတ်လုပ်မှုကိုအလွန်ခက်ခဲစေသည် PPT တိုးတက်မှုနှုန်းနည်းလမ်းဖြင့်ကန့်သတ်ထားသည်။ Wolfspeed ကဲ့သို့သောထုတ်လုပ်သူများကို 8 လက်မမှ 8 လက်မအထိမြှင့်တင်ရန်ဖြစ်သည်။ ထို့အပြင်အရည်အဆင့်နည်းများကဲ့သို့သောထွန်းသစ်စတိုးတက်မှုနည်းလမ်းများလည်းဖွံ့ဖြိုးဆဲဖြစ်သည်။
