第三代半導體通常是指碳化矽（SIC）和硝酸鹽（GAN）。該聲明起源於中國，通常稱為寬帶隙半導體或國際複合半導體。
根據帶隙寬度的差異，半導體材料可以分為以下四代。
第一代半導體材料由元素半導體材料（例如矽和鍺）表示。它的典型應用是集成電路，主要用於低壓，低頻，低功率晶體管和檢測器。
第二代半導體材料由砷耐加侖和磷化磷脂（INP）表示。砷化甘氨酸材料的電子遷移率是矽的6倍，並具有直接帶隙。因此，與硅設備相比，其設備具有高頻和高速光電特性，並且被認為是一種非常合適的通信的半導體材料。同時，其在軍事電子系統中的應用變得越來越普遍且不可替代。
第三代半導體材料是指硝酸鹽（例如硝酸鹽（GAN），氮化鋁（ALN）等），碳化矽，氧化氧化物半導體（例如氧化鋅（例如氧化鋅（ZnO）（ZnO），甘油氧化物（GA2O3）（GA2O3）（GA2O3），鈣寬型山頂質量材料，例如Titan cat cat cat cat。與前兩代半導體材料相比，第三代半導體材料具有較大的帶隙，並且具有較高的特性，例如高擊穿電場，高導熱率，高電子飽和速率和強輻射耐性。
第四代半導體是指超寬的帶隙半導體材料，例如氧化甘油（GA2O3），鑽石（C）和氮化鋁（ALN），以及超鼻涕帶隙半導體，例如甘露膜（GASB）和Indium andim抗抗氧化物（GASB）和Indium抗抗抗氧化物（INSB）。
與第一代和第二代半導體相比，第三代半導體具有高功率，高頻，高壓和高溫抗性的特徵，並且非常適合在新興領域（例如新型能車輛，5G基礎站，光伏能源存儲和數據中心）中使用。材料。
與基於矽的設備相比，由碳化矽材料製成的電源設備在高壓方案中顯示出更好的物理性能，並已廣泛用於新的能量車輛逆變器和光伏逆變器中。
氮化岩材料可以根據其外延層結構而變成電源，射頻和光電設備。氮化炮功率設備經常使用矽底物，現在已在消費充電器市場中廣泛使用；射頻設備主要使用碳化矽材料作為基材，非常適合5G基站，軍事雷達和其他情況；就光電設備而言，使用藍色氮化岩製成的LED已經非常成熟。
碳化矽底物可用於製備碳化物碳化物電源設備和氮化炮射頻設備，並被視為第三代半導體的核心原料。但是，目前它受PVT增長方法的限制，這使批量生產非常困難。沃爾夫速等製造商正在宣傳6英寸至8英寸。另外，新興的生長方法（例如液相方法）也正在發展。
