ការមើល: 0 អ្នកនិពន្ធ: កម្មវិធីនិពន្ធវែបសាយត៍បោះពុម្ភម៉ោង: 2023-10-30 ប្រភពដើម: កន្លេង
ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទី 3 ជាធម្មតាសំដៅទៅលើ Silicon Carbide (SIC) និង GALRIDE Nitride (GAN) នេះមានប្រភពមកពីប្រទេសចិនហើយភាគច្រើនត្រូវបានគេហៅថារថយន្តម៉ាកអេឡិចត្រូនិចឬឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកដែលមានលក្ខណៈអន្តរជាតិ។
យោងទៅតាមភាពខុសគ្នានៃទទឹង Bandgap, សំភារៈ SemiconDuctor អាចត្រូវបានបែងចែកទៅជាបួនជំនាន់ខាងក្រោម។
ជំនាន់ទូរស័ព្ទអេឡិចត្រូនិកជំនាន់ដំបូងត្រូវបានតំណាងដោយវត្ថុធាតុដើមអេឡិចត្រូនិចសំខាន់ៗដូចជាស៊ីលីកុននិងអាល្លឺម៉ង់។ កម្មវិធីធម្មតារបស់វាគឺជាសៀគ្វីរួមបញ្ចូលគ្នាដែលត្រូវបានប្រើជាចម្បងក្នុងតង់ស្យុងទាបប្រេកង់ថាមពលទាបនិងឧបករណ៍រាវរក។
សមា្ភារៈដូនម៉ិញជំនាន់ទី 2 ត្រូវបានតំណាងដោយវ៉ាសសឺរីញ៉ូមនិងអ៊ីនឌីសផូស្វ័រ (អ៊ិចភី) ។ ភាពចល័តរបស់អេឡិចត្រូនិចនៃសម្ភារៈ Arsenide Callium គឺ 6 ដងនៃ Silicon និងមានគម្លាតក្រុមតន្រ្តីផ្ទាល់។ ដូច្នេះឧបករណ៍របស់វាមានលក្ខណៈសម្បត្តិ ottolectronic ខ្ពស់និងល្បឿនលឿនបើប្រៀបធៀបទៅនឹងឧបករណ៍ស៊ីលីកុនហើយវាត្រូវបានគេទទួលស្គាល់ថាជាសម្ភារៈអេឡិចត្រូនិចដែលសមរម្យសម្រាប់ការទំនាក់ទំនង។ ទន្ទឹមនឹងនេះកម្មវិធីរបស់វានៅក្នុងប្រព័ន្ធអេឡិចត្រូនិចយោធាកំពុងរីករាលដាលកាន់តែខ្លាំងឡើង ៗ និងមិនអាចជំនួសបាន។
សមា្ភារៈជំនាន់ទី 3 សំដៅទៅលើក្រុមទី 3 របស់ក្រុម III (ដូចជា GALIOM Nitriard) Aluminum Nitride (aln), ស៊ីឡាំង, សមា្ភារៈគ្រាប់ក្រមៃដូចជាទីតានីញ៉ូម (CATIO3) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ល។ ) ។ ពេជ្រ។ បើប្រៀបធៀបជាមួយនឹងសញ្ញាសម្គាល់ពីរជំនាន់ដំបូងនៃវត្ថុធាតុដើមអេឡិចត្រូតឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីបីមានលក្ខណៈពិសេសខ្ពស់ហើយមានលក្ខណៈសម្បត្តិខ្ពស់ដូចជាវិស័យអគ្គិសនីបែកខ្ញែកខ្ពស់អត្រាតក់ទេសអេឡិចត្រូនិចខ្ពស់និងធន់នឹងវិទ្យុសកម្មខ្លាំង។
ឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទី 4 សំដៅទៅលើសមា្ភារៈសូឡូអេសអេសអេសអេសអេមអេសអេមអេសស៊ីដ (GA2O3) ពេជ្រ (C) និង Aluminum Nitride (ALN) ដូចជា Glatium Antimonide (GAIN) និង Indium Antimonide (Insb) ។
បើប្រៀបធៀបនឹងឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទី 1 និងទី 2 មានលក្ខណៈពិសេសនៃថាមពលប្រេកង់ខ្ពស់និងធន់ទ្រាំនឹងសីតុណ្ហភាពខ្ពស់ដែលជាយានជំនិះថាមពលថ្មីទំហំផ្ទុកថាមពល Photovoltaic និងមជ្ឈមណ្ឌលទិន្នន័យ។ សម្ភារៈ។
បើប្រៀបធៀបជាមួយឧបករណ៍ដែលមានមូលដ្ឋានលើស៊ីលីខនឧបករណ៍ថាមពលដែលធ្វើពីសារធាតុស៊ីលីខនកាលីខុនបង្ហាញពីលក្ខណៈសម្បត្តិរាងកាយប្រសើរជាងមុននៅក្នុងវ៉ែនតាវ៉ុលខ្ពស់ហើយត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងម៉ាស៊ីនបញ្ចាំងរថយន្តថ្មីនិងអ្នកបញ្ច្រាស Photovolta ។
សមា្ភារៈនីក្រូនីញ៉ូមអាចត្រូវបានបង្កើតឡើងជាថាមពលប្រេកង់វិទ្យុនិងឧបករណ៍ optoelectronic អាស្រ័យលើរចនាសម្ព័ន្ធស្រទាប់តូចរបស់ពួកគេ។ ឧបករណ៍ថាមពលនីក្រូនីតនីតជែលជារឿយៗប្រើស្រទាប់ខាងក្រោមស៊ីលីកុនហើយឥឡូវត្រូវបានគេប្រើយ៉ាងទូលំទូលាយនៅក្នុងទីផ្សារឆ្នាំងសាក។ ឧបករណ៍ប្រេកង់វិទ្យុភាគច្រើនប្រើវត្ថុធាតុដើម Capicon Carbide ជាស្រទាប់ខាងក្រោមដែលសមស្របបំផុតសម្រាប់ស្ថានីយ៍ 5G រ៉ាដាយោធានិងសេណារីយ៉ូដទៃទៀត។ បើនិយាយពីឧបករណ៍ addoelectronic, ស្រទាប់ខាងក្រោម Sapphire ត្រូវបានប្រើ LED ដែលធ្វើពីកាឡាក់ស៊ីនីត្យូមមានភាពចាស់ទុំរួចហើយ។
ស្រទាប់ខាងក្រោមរបស់ Silicon Carbide អាចត្រូវបានប្រើដើម្បីរៀបចំឧបករណ៍ថាមពលរបស់ Capicon CAPICON និងឧបករណ៍ប្រេកង់វិទ្យុវិទ្យុទន្លេនីតិកាលនិងត្រូវបានគេចាត់ទុកថាជាវត្ថុធាតុដើមស្នូលនៃឧបករណ៍អេឡិចត្រូនិកជំនាន់ទីបី។ ទោះយ៉ាងណាក៏ដោយបច្ចុប្បន្នវាត្រូវបានកំណត់ដោយវិធីសាស្ត្រកំណើន PVT ដែលធ្វើឱ្យផលិតកម្មដ៏ធំមួយមានការលំបាកខ្លាំងណាស់។ ក្រុមហ៊ុនផលិតដូចជា Wolfspeed កំពុងផ្សព្វផ្សាយ 6 អ៊ីញទៅ 8 អ៊ីញ។ លើសពីនេះទៀតវិធីសាស្រ្តលូតលាស់នៃការកើនឡើងដូចជាវិធីសាស្រ្តតំណាក់កាលរាវក៏កំពុងអភិវឌ្ឍផងដែរ។
