Pamje: 0 Autori: Redaktori i faqes Publikoni Koha: 2023-08-18 Origjina: Sit
Si përbërësit thelbësorë të konvertimit të energjisë elektrike dhe kontrollin e qarkut të pajisjeve elektronike, gjysmëpërçuesit e energjisë kanë potencial të madh zhvillimi në fushat e automobilave dhe industriale, dhe kërkesa e tyre po rritet gjithashtu.
Më parë, në forumin e ri të ekosistemit '2023 China Automobile Automobile e Re e mbajtur në Wuxi, Ding Rongjun, një akademik i Akademisë Kineze të Inxhinierisë, mori pjesë në konferencë dhe mbajti një fjalim kryesor në zhvillimin dhe aplikimin e energjisë gjysmë të teknologjisë ' 'History Historia e Power Semiconductors, karakteristikat teknike dhe aplikimet e energjisë, dhe aplikimet e power, dhe ato të energjisë, dhe aplikimet teknike të energjisë, dhe të fuqisë së powernuctor, dhe aplikimet teknike të energjisë, dhe aplikimet teknike të energjisë, dhe aplikimet e fuqisë, dhe aplikimet e power. Gjysmëpërçuesit në të ardhmen janë përpunuar.
Zhvillimi i pajisjeve të energjisë ka promovuar ndryshime industriale në fushën industriale
Akademikan Ding Rongjun beson se gjysmëpërçuesit e energjisë janë CPU -të 'Elektrike dhe CPU elektrike, dhe gjysmëpërçuesit e energjisë do të përdoren sa herë që transmetohet energjia. Meqenëse tranzistori i parë bipolar me bazë në Germanium në botë u shpik nga Bell Laboratories në Shtetet e Bashkuara në 1947, ka filluar epoka e industrisë së mikroelektronikës.
Sipas pikëpamjes së akademikut Ding Rongjun, historia e zhvillimit të hekurudhave globale me shpejtësi të lartë është gjithashtu një histori e inovacionit të teknologjisë gjysmëpërçuese të energjisë dhe përparimit industrial. Nga diodat e ndreqësit deri tek tiristorët, lindi teknologjia e elektronikës së energjisë; Shfaqja e tiristorëve promovoi përparimin e lokomotivave të ndreqësit në teknologjinë e lokomotivës të kontrolluar nga faza; Nga tiristorët në GTO, u realizua azhurnimi teknologjik nga disqet DC në disqet AC;
Nga GTO në IGBT, Drive Digital dhe Control janë realizuar, e cila ka promovuar zhvillimin e teknologjisë së tranzitit hekurudhor me shpejtësi të lartë dhe të rëndë.
Duke parë përsëri zhvillimin e pajisjeve të energjisë, akademikan Ding Rongjun beson: 'Nga zbulimi i materialeve të Germanium e deri më sot, zhvillimi i pajisjeve të energjisë ka qenë më pak se një shekull. Megjithatë, me tërheqjen e kërkesave të aplikimit, gjysmëpërçuesit e energjisë kanë zhvilluar me shpejtësi - ajo ka bërë një përparim revolucionar në teknologjinë elektronike, dhe pastaj promovuar transformimin industrial të të gjithë fushës industriale.' ''
'Sidoqoftë, ndryshe nga patate të skuqura dixhitale, patate të skuqura dixhitale ndjekin procese të përparuara të prodhimit, dhe produktet e reja shpesh zëvendësojnë produktet e vjetra. Në gjysmëpërçuesit e energjisë, pavarësisht nëse është një diodë apo një IGBT, secila pajisje ka karakteristikat e veta dhe aplikacionet. Prandaj, është e vështirë të thuhet se shfaqja e pajisjeve të reja mund të zëvendësojë plotësisht pajisjet e tjera, dhe secila pajisje energjie ka vendin e saj për përdorim.
IGBT është një produkt përfaqësues i revolucionit të tretë teknik të pajisjeve gjysmëpërçuese të energjisë
Karakteristikat e IGBT janë ngarja e tensionit, rezistenca e lartë e hyrjes, rryma e vogël e makinës, frekuenca e shpejtë e ndërrimit, tensioni i lartë i rezidencës, diapazoni i aplikimit 600V ~ 6500V, ai mund të përdoret gjerësisht në tranzitin hekurudhor, rrjetin e zgjuar, energjinë e re, hapësirën e hapësirës ajrore, makinën e anijeve, konvertimin e frekuencës AC, gjenerimin e energjisë së erës, makinën e automjeteve, automjetet dhe fushat e tjera industriale.
Nga këndvështrimi i kërkesës, automjetet e reja të energjisë përdorin kryesisht IGBT 750V-1200V, me një kërkesë vjetore prej më shumë se 1 milion njësish, duke treguar rritje shpërthyese; Transporti hekurudhor është fusha më e madhe e kërkesës për IGBT me tension të lartë, me një kërkesë vjetore prej rreth 300,000 njësish; Në fushën e energjisë së re, konvertuesit e energjisë së erës dhe invertorët fotovoltaikë përdorin kryesisht module 1200V-1700V IGBT M dhe H, me një kërkesë vjetore prej rreth 500,000 njësish; Aplikimet e rrjetit kryesisht përdorin saldim 3300V dhe 4500V IGBT të Crimping, me një kërkesë vjetore prej rreth dhjetë mijë.
Materialet e reja dhe topologjitë e reja janë shtigjet kryesore për përparimet e ardhshme teknologjike në pajisjet e energjisë
Zhvillimi i teknologjisë së pajisjes së energjisë drejtohet nga nevojat e qenësishme të 'përmirësimit të performancës ' dhe 'zvogëlimit të kostos '. Prandaj, për trendin e zhvillimit të teknologjisë gjysmëpërçuese të energjisë në të ardhmen,
Akademikan Ding Rongjun beson se ndërsa materialet me bazë SI po i afrohen gradualisht kufijve të tyre fizikë dhe ligji i Moore po i afrohet kufirit të performancës, materialet e reja dhe topologjitë e reja do të jenë rruga kryesore për përparimet e ardhshme teknologjike në pajisjet gjysmëpërçuese të energjisë. Në të ardhmen, 'Materialet e reja, strukturat e reja, paketimi i ri dhe inteligjenca ' për të realizuar evolucionin teknologjik të pajisjeve të energjisë.
