SOT-23 MOSFET
SOT-23 MOSFET
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  • 封装名称:SOT-23
  • VDS=-60V,ID=-4.0A
  • RDS(ON) <120mΩ @ VGS=-10V
  • 高密度设计
  • 低导通电阻RDS(on)
  • 出色的EAS能力
  • 有害物质限制指令产品
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微信图片_20240228132709

特征:

  • 体积小:SOT23封装体积小,适用于便携式设备和微型电子产品,如智能手机、平板电脑、蓝牙设备等。

  • 表面贴装技术:SOT23采用表面贴装技术(SMT),简化了制造工艺,有利于提高生产效率。

  • 热性能:SOT23封装的设计通常允许器件将热量散发到封装外部,这有助于降低温度并提高器件稳定性。

sot-23

象征
尺寸(毫米)
很小值更大限度。

一个

0.9001.150
A1
0.0000.100
A20.9001.050

0.3000.500
c0.0800.150
D2.8003.000
1.2001.400
E12.2502.550
e
0.950TYP
e11.8002.000
L0.550REF
L10.300
0.500
θ


笔记: 

1.所有尺寸均以毫米为单位。

2、除非另有说明,公差±0.10mm  

3. 封装体尺寸不包括模具毛边和浇口毛刺。  

4. 尺寸 L 在标准平面内测量。  

5. 控制尺寸为毫米,换算后的英寸尺寸不一定准确。


电压零件名称V(BR)DSSID配置RDS(on)型RDS(on)型V(Gs)th-minV(Gs)th-更大
(五)(一个)(mQ)10V(mQ)4.5V(五)(五)
-60HLT4P06-60-4单身的100
-1-2.5
-60HLT5P06-60-5单身的80
-1-2.5
-40HLT5P04-40-5单身的6585-1-2.5
-30HLG3453A1N-30-2单身的115150-1-2.5
-30HLG2303A1N-30-2.6单身的72110-1-2.5
-30HLG2303BA1N-30-3单身的5580-1-2.5
-30HLG3407A1N-30-4.3单身的4250-1-2.5
-30HLG3401A1N-30-4.3单身的4046-0.4-1
-20HLG2301A1N-20-2.3单身的
90-0.4-1
-20HLG2301BA1N-20-3单身的
58-0.4-1
-20HLG2301CA1N-20-3.2单身的
49-0.4-1
-20HLG2301DA1N-20-2单身的
120-0.4-1
-20HLG2305A1N-20-5单身的
32-0.4-1
-20HLG3415A1N-20-4单身的
31-0.4-1
-20HLT7P02A1N-20-7单身的
20-0.4-1
-15HLG3417A1N-15-4.5单身的
27-0.45-1
-15HLG2301EA1N-15-2.6单身的
55-0.4-1
-15HLG2301FA1N-15-3单身的
42-0.4-1
-15HLG2305CA1N-15-5.6单身的
23-0.4-1
-12HLG2301GA1N-12-2单身的
73-0.4-1
-12HLG2305EA1N-12-4.1单身的
29-0.45-1
-12HLT6P01A1N-12-6单身的
19-0.4-1
20HLG3134200.75单身的
1650.351.1
20HLG2302B203单身的
380.551.25
20HLG2300204.5单身的
200.451
20HLG2302204.3单身的
210.551.25
20HLG3416E207单身的
130.451
30HLG3400305.6单身的20240.651.5
30HLG3404305.6单身的172612.5
40HLT5N04A1N405单身的304012.5
50HLG138500.34单身的1100130012
60HLG7002600.3单身的1100130012
60HLG7002E600.3单身的1100130012
60HLT3N06603单身的859512
100HLG123A1N1000.2单身的3000350012.5
100HLT2N101002单身的25026012.5
150HLT2N151502单身的26032012.5


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