详细说明MOS的工作原理
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详细说明MOS的工作原理

视图: 0     作者:网站编辑发布时间:2023-07-14来源: 地点

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产品描述

 

MOSTUBE (金属 - 氧化物 - 氧化物 - 磁导体场效应晶体管)是一种半导体装置,它是由金属,氧化物和半导体晶体组成的结构。

 

工作原理:当将一定的电压应用于
的门时 MOS晶体管 ,形成了电场,这会导致半导体的电导率变化,从而导致源和漏极之间的电阻变化,从而实现了电流的调制和控制。

主要参数:
1。静态工作点:源滴定电流,门电压;
2。动态参数:最大排水电流,最大排水电压,最大功耗,切换时间和占空比等等。

MOS2

 

mos

详细说明:静态操作点是指何时
的源和排水量之间的电流为零时的工作点。 MOS晶体管 在特定电压下通常,制造商指定的静态操作点是最合适的工作点。如果它偏离静态操作点,它将影响MOS的性能。

 

动态参数是指动态工作状态中MOS的特征。最大排水电流是MOS可以承受的最大电流。如果超过此值,则MOS将损坏。最大排水电压是MOS可以承受的最大电压。如果超过此值,它将导致MOS的崩溃。最大功耗是MOS可以承受的最大功率。超过此值将导致MOS加热,甚至损坏。切换时间是指MOS从OFN关闭所需的时间,占空比是指MOS的休息时间与总时间的比率,这在某些应用中需要特别注意。

 

简而言之,MOS是一种常用的半导体装置。它的主要参数包括静态操作点和动态参数。有必要根据特定的应用程序场景选择适当的MOSTUBE模型和参数。

 

 

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