El mercado global de dispositivos de energía crecerá rápidamente

Impulsado por aplicaciones como los vehículos eléctricos eléctricos e híbridos (XEV), los motores industriales e industriales de energía renovable, Yole espera que el mercado mundial de dispositivos de energía crezca a US $ 33.3 mil millones para 2028, y los fabricantes chinos se desarrollarán rápidamente en función de las ventajas de la industria de los vehículos eléctricos.

Los últimos datos de Yole muestran que el mercado global de dispositivos de energía crecerá rápidamente de aproximadamente US $ 23 mil millones en 2023 a US $ 33.3 mil millones en 2028. Esta demanda requiere el establecimiento de más capacidad de fabricación de dispositivos de energía de silicio, sic y GaN para apoyarlo.

Los fabricantes de dispositivos de silicio han estado desarrollando y adoptando activamente la tendencia de pasar a obleas de 12 pulgadas para aumentar la capacidad de producción y reducir el costo de un solo dado. Las obleas de silicio también se usan en otros dispositivos microelectrónicos, como sensores, por lo que invertir en equipos de fabricación de obleas de 12 pulgadas es menos riesgoso que la transición de obleas de carburo de silicio de 6 pulgadas a 8 pulgadas.

Ana Villamor, analista principal de Power Electronics en Yole, predice que en los próximos cinco años, basado en las actuales obleas equivalentes de 8 pulgadas, la capacidad de producción aumentará en 25 millones de obleas equivalentes de 8 pulgadas cada año. Este es un ciclo de súper inversión, también es el ciclo de inversión más grande en la historia de la industria electrónica y de energía.

En el campo de los dispositivos de energía SIC, principalmente impulsados ​​por vehículos eléctricos, se espera que el tamaño del mercado de los dispositivos de energía electrónica alcance aproximadamente un 25% para 2028; En el campo de los dispositivos de potencia de GaN, está impulsada principalmente por la demanda de carga rápida de consumo y los teléfonos inteligentes y los adaptadores de computadora promueven. Los dispositivos de potencia SIC se están adoptando en aplicaciones aguas abajo más rápido que GaN, que comenzó más tarde, pero ambos ganarán participación del mercado tradicional de dispositivos de silicio.

En lo que respecta a los dispositivos SIC, el costo y la disponibilidad de la oblea de SIC siempre han sido los principales factores que afectan su velocidad de desarrollo. Hay una gran cantidad de fabricantes integrados verticalmente en la cadena de suministro desde la oblea hasta el dispositivo. Las grandes empresas como Wolfspeed, en semiconductores, ROHM y STMicroelectronics cubren toda la cadena de suministro, incluidas las lingotes/sustrato, la epitaxia, el procesamiento de chips y el diseño de diodos/transistores; Pequeñas empresas chinas como Tianke Heda, Tianke Yue Advanced se centran en el campo de SIC lingot/sustrato. Algunos fabricantes de dispositivos SIC como Infineon y Bosch dependen del suministro externo de obleas SIC. Las empresas chinas están expandiendo gradualmente su cuota de mercado en el campo de la oblea de SIC y planean aumentar significativamente la capacidad de producción en los próximos cinco años, con el objetivo de tener en cuenta el total del mundo para 2027. Más del 40% de la capacidad de producción.

Yole espera que los proveedores chinos puedan suministrar grandes cantidades a precios más bajos, y la reversión de la situación de la oferta y la demanda de las obleas SIC cambiará significativamente las reglas del juego para las industrias de dispositivos de energía SIC y silicio. La aparición de dispositivos SIC más baratos no solo afectará a los fabricantes de SIC de alto costo también acelerará el reemplazo de dispositivos de silicio por dispositivos SIC en muchas aplicaciones.