这 Schottky Diode以其发明者Schottky（Schottky）和SBD的名字命名，而SBD是Schottky Barrier Diode（Schottky Barrier二极管，缩写为SBD）的缩写。 SBD不是通过接触P型半导体和N型半导体的原理来形成PN连接的，而是使用通过接触金属和半导体形成的金属 - 轴向连接的原理。因此，SBD也称为金属 - 肺导体（接触）二极管或表面屏障二极管，这是一种热载体二极管。
A Schottky diode is a metal-semiconductor device made of a noble metal (gold, silver, aluminum, platinum, etc. A as the positive electrode and an N-type semiconductor B as the negative electrode, and the potential barrier formed on the contact surface of the two has rectification characteristics. Because there are a large number of electrons in the N-type semiconductor and only a small amount of free electrons in the noble金属，电子从高浓度的B扩散，显然没有金属a的孔，并且随着电子的扩散。 A中的电子还将从A→B产生漂移运动，从而削弱由于扩散运动而形成的电场。当建立一定宽度的空间电荷区域时，由电场引起的电子漂移运动和由不同浓度引起的电子扩散运动达到相对平衡，形成了Schottky屏障。
Schottky二极管，也称为Schottky Barrier二极管（简称SBD），是一种低功率，超高速度的半导体装置。最值得注意的特征是，反向恢复时间非常短（可能小于几纳秒），并且正向电压下降仅为0.4V。它主要用作高频，低压，高电流整流器二极管，随心所欲的二极管和保护二极管。在微波通信电路中，它也可作为整流器二极管和小信号检测器二极管。它在通信电源，频转换器等中更为常见。
典型的应用是在双极晶体管BJT的开关电路中，通过将冲击二极管连接到BJT到夹具，以便晶体管在处于ON状态时实际上接近OFF状态，从而提高了晶体管的开关速度。该方法是典型数字IC的TTL内部电路中使用的技术，例如74LS，74AL，74AS，ETC。
Schottky Diodes的最大特征是向前电压滴VF相对较小。在相同电流的情况下，其正向电压下降要小得多。再加上它的恢复时间很短。它还具有一些缺点：耐力电压相对较低，并且泄漏电流稍大。选择时应全面考虑。
