這 Schottky Diode以其發明者Schottky（Schottky）和SBD的名字命名，而SBD是Schottky Barrier Diode（Schottky Barrier二極管，縮寫為SBD）的縮寫。 SBD不是通過接觸P型半導體和N型半導體的原理來形成PN連接的，而是使用通過接觸金屬和半導體形成的金屬 - 軸向連接的原理。因此，SBD也稱為金屬 - 肺導體（接觸）二極管或表面屏障二極管，這是一種熱載體二極管。
A Schottky diode is a metal-semiconductor device made of a noble metal (gold, silver, aluminum, platinum, etc. A as the positive electrode and an N-type semiconductor B as the negative electrode, and the potential barrier formed on the contact surface of the two has rectification characteristics. Because there are a large number of electrons in the N-type semiconductor and only a small amount of free electrons in the noble金屬，電子從高濃度的B擴散，顯然沒有金屬a的孔，並且隨著電子的擴散。 A中的電子還將從A→B產生漂移運動，從而削弱由於擴散運動而形成的電場。當建立一定寬度的空間電荷區域時，由電場引起的電子漂移運動和由不同濃度引起的電子擴散運動達到相對平衡，形成了Schottky屏障。
Schottky二極管，也稱為Schottky Barrier二極管（簡稱SBD），是一種低功率，超高速度的半導體裝置。最值得注意的特徵是，反向恢復時間非常短（可能小於幾納秒），並且正向電壓下降僅為0.4V。它主要用作高頻，低壓，高電流整流器二極管，隨心所欲的二極管和保護二極管。在微波通信電路中，它也可作為整流器二極管和小信號檢測器二極管。它在通信電源，頻轉換器等中更為常見。
典型的應用是在雙極晶體管BJT的開關電路中，通過將衝擊二極管連接到BJT到夾具，以便晶體管在處於ON狀態時實際上接近OFF狀態，從而提高了晶體管的開關速度。該方法是典型數字IC的TTL內部電路中使用的技術，例如74LS，74AL，74AS，ETC。
Schottky Diodes的最大特徵是向前電壓滴VF相對較小。在相同電流的情況下，其正向電壓下降要小得多。再加上它的恢復時間很短。它還具有一些缺點：耐力電壓相對較低，並且洩漏電流稍大。選擇時應全面考慮。
