Was ist Shockettky？

Der Schottky Diode ist nach seinem Erfinder Dr. Schottky (Schottky) benannt, und SBD ist die Abkürzung der Schottky -Barrier -Diode (Schottky Barrier Diode, als SBD abgekürzte). SBD wird nicht nach dem Prinzip der Kontaktaufnahme mit dem P-Typ-Halbleiter und des N-Typs-Halbleiters zur Bildung von PN-Junction hergestellt, sondern unter Verwendung des Prinzips von Metall-Semiconductor-Übergang, der durch Kontakt mit Metall und Halbleiter gebildet wird. Daher wird SBD auch als Metall-Semiconductor-Diode (Kontakt) oder Oberflächenbarriere-Diode bezeichnet, eine Art heißer Trägerdiode.

Eine Schottky-Diode ist ein Metall-Diemedonductor-Gerät aus einem edlen Metall (Gold, Silber, Aluminium, Platin usw. A als positive Elektrode und ein N-Typ-Halbleiter B als negative Elektrode, und die potenzielle Barriere, die auf der Kontaktoberfläche der beiden Richtungsmerkmale gebildet wird, hat die Richtigungseigenschaften. Nur eine große Anzahl von Elektronen in der N-Type-Semikon-Semikon-Semikon-Semikon-Semikon-Semikone und eine große Anzahl von Elektronen in der N-N-Tart-Semikon-Semikon-Semikon-Semikon-Semikon-Semikone gibt es. Die Elektronen diffundieren von B mit hoher Konzentration bis A mit geringer Konzentration. A erzeugt auch eine Driftbewegung von A → B, wodurch das elektrische Feld aufgrund der Diffusionsbewegung geschwächt wird. Wenn ein Raumladungsbereich einer bestimmten Breite festgelegt wird, erreichen die durch das elektrische Feld verursachte Elektronendriftbewegung und die durch unterschiedliche Konzentrationen verursachte Elektronendiffusionsbewegung ein relatives Gleichgewicht und bildet eine Schottky -Barriere.

Schottky Diode, auch als Schottky Barrier Diode (kurz SBD) bekannt, ist ein hochwertiges Halbleitergerät mit ultrahohiger Geschwindigkeit. Das bemerkenswerteste Merkmal ist, dass die Reverse -Wiederherstellungszeit extrem kurz ist (kann so klein wie einige Nanosekunden sein) und der Vorwärtsspannungsabfall nur etwa 0,4 V beträgt. Es wird hauptsächlich als Hochfrequenz-, niedrige Spannungs-, Hochstrom-Gleichrichterdioden, Freilaufdioden und Schutzdioden verwendet. Es ist auch als Gleichrichterdioden und Kleinsignal-Detektordioden in Mikrowellenkommunikationsschaltungen nützlich. Es tritt häufiger in Kommunikationsnahrungsmitteln, Frequenzwandlern usw. auf.

Eine typische Anwendung befindet sich im Schaltkreis des bipolaren Transistors BJT, indem die Stoßdiode mit der BJT mit der Klemme verbunden wird, so dass der Transistor tatsächlich nahe am Aus -Status liegt, wenn sie sich im State befindet, wodurch die Schaltgeschwindigkeit des Transistors erhöht wird. Diese Methode ist die Technik, die in den TTL -internen Schaltungen typischer digitaler ICs wie 74Ls, 74As, 74As usw. verwendet wird.

Das größte Merkmal von Schottky -Dioden ist, dass der Vorwärtsspannungsabfall -VF relativ gering ist. Im Falle des gleichen Stroms ist sein Vorwärtsspannungsabfall viel kleiner. Außerdem hat es eine kurze Erholungszeit. Es hat auch einige Nachteile: Die Widerstandsspannung ist relativ niedrig und der Leckstrom ist etwas größer. Es sollte bei der Auswahl umfassend betrachtet werden.