Schottky Diodeは、発明者であるSchottky博士（Schottky）にちなんで命名され、SBDはSchottky Barrier Diode（Schottky Barrier Diode、Sbdと略された）の略語です。 SBDは、P型半導体とn型半導体に接触してPN接合部を形成する原理ではなく、金属と半導体に接触することで形成された金属光学的伝導器接合の原理を使用することによって行われます。したがって、SBDは、金属半導体（接触）ダイオードまたは表面バリアダイオードとも呼ばれます。これは、一種のホットキャリアダイオードです。
Schottky Diodeは、高貴な金属（金、銀、アルミニウム、プラチナなどで作られた金属半導体導体デバイスです。陽性電極としてAとして、N型半導体Bとして負の電極として、2つの接触表面に形成される潜在的な障壁には、N-Type Semiconductorのみの大量の電子があります。電子は、高濃度のBから低濃度で拡散します。明らかに、AからBへの穴はありません。また、A→Bからドリフト運動を生成するため、拡散運動のために形成される電界が弱くなります。特定の幅の空間電荷領域が確立されると、電界によって引き起こされる電子ドリフトの動きと、異なる濃度によって引き起こされる電子拡散運動が相対バランスに達し、ショットキーバリアが形成されます。
Schottky Diodeは、Schottky Barrier Diode（略してSBD）としても知られており、低電力の超高速半導体デバイスです。最も注目すべき機能は、逆回復時間が非常に短く（数ナノ秒ほど小さくなる可能性がある）、順方向電圧降下は約0.4Vであることです。主に、高周波、低電圧、高電流整流器ダイオード、フリーホイールダイオード、および保護ダイオードとして使用されます。また、マイクロ波通信回路における整流器ダイオードおよび小型検出器ダイオードとしても役立ちます。通信電源、周波数コンバーターなどでより一般的です。
典型的なアプリケーションは、双極トランジスタBJTのスイッチング回路にあります。これにより、ShockleyダイオードをBJTに接続してクランプにしているため、トランジスタは実際には状態にあるときにオフ状態に近く、それによりトランジスタのスイッチング速度が増加します。この方法は、74LS、74AL、74ASなどの典型的なデジタルICのTTL内部回路で使用される手法です。
Schottkyダイオードの最大の特徴は、順方向電圧ドロップVFが比較的小さいことです。同じ電流の場合、その前方電圧低下ははるかに小さくなります。さらに、回復時間が短くなります。また、いくつかの欠点があります。耐摩耗性電圧は比較的低く、漏れ電流はわずかに大きくなります。選択する際には包括的に考慮されるべきです。
