그만큼 Schottky Diode는 발명가 Dr. Schottky (Schottky)의 이름을 따서 명명되었으며 SBD는 Schottky Barrier Diode (Schottky Barrier Diode, SBD로 약어)의 약자입니다. SBD는 PN 접합부를 형성하기 위해 P 형 반도체 및 N 형 반도체 접촉의 원리에 의해 만들어지지는 않지만, 금속 및 반도체 접촉에 의해 형성된 금속-세미 관음체 접합의 원리를 사용함으로써. 따라서, SBD는 또한 일종의 핫 캐리어 다이오드 인 금속-세미 컨덕터 (접촉) 다이오드 또는 표면 배리어 다이오드라고도합니다.
Schottky 다이오드는 고귀한 금속 (금,은, 알루미늄, 백금 등으로 만들어진 금속-세미 도체 장치이며, a 음성 전극과 N- 타입 반도체 B로서의 A와 N- 타입 반도체 B이며,이 두 가지의 접촉 표면에 형성된 잠재적 장벽은 전자식이 많기 때문에 비 유형의 전자 전자가 많기 때문에 비 유감도가 있기 때문이다. 전자는 높은 농도로 농도가 낮은 농도로 확산되며, 금속 A에는 구멍이 없으며, 전자는 B에서 A로 계속 확산되므로 B의 표면에 전자 농도가 점차적으로 감소하고 표면 중립이 파괴되므로 전기 방향이 전기적으로 발생합니다. A에서 A → B로부터 드리프트 운동을 생성하여 확산 운동으로 인해 형성된 전기장을 약화시킨다. 특정 폭의 공간 전하 영역이 확립되면, 전기장으로 인한 전자 드리프트 운동 및 상이한 농도로 인한 전자 확산 운동은 상대 균형에 도달하여 Schottky 장벽을 형성합니다.
Schottky Barrier Diode (SBD)로도 알려진 Schottky Diode는 저전력의 초고속 반도체 장치입니다. 가장 주목할만한 특징은 역 복구 시간이 매우 짧다는 것입니다 (몇 나노초만큼 작음). 전방 전압 강하는 약 0.4V에 불과합니다. 주로 고주파, 저전압, 고전류 정류기 다이오드, 프리 휠링 다이오드 및 보호 다이오드로 사용됩니다. 또한 전자 레인지 통신 회로에서 정류기 다이오드 및 소규모 검출기 다이오드로 유용합니다. 통신 전원 공급 장치, 주파수 변환기 등에서 더 일반적입니다.
전형적인 응용 프로그램은 Shockley 다이오드를 BJT에 클램프로 연결함으로써 양극성 트랜지스터 BJT의 스위칭 회로에 있으며, 트랜지스터가 실제로 상태에있을 때 실제로 OFF 상태에 가깝게함으로써 트랜지스터의 스위칭 속도를 증가시킵니다. 이 방법은 74L, 74ALS, 74AS 등과 같은 일반적인 디지털 IC의 TTL 내부 회로에 사용되는 기술입니다.
Schottky Diodes의 가장 큰 특징은 순방향 전압 드롭 VF가 비교적 작다는 것입니다. 동일한 전류의 경우, 전방 전압 강하가 훨씬 작습니다. 또한 복구 시간이 짧습니다. 또한 몇 가지 단점이 있습니다. 내차 전압은 상대적으로 낮고 누출 전류는 약간 더 큽니다. 선택할 때 포괄적으로 고려해야합니다.
