IGBT是“绝缘栅极双极晶体管”的缩写，也称为绝缘栅极双极晶体管。
IGBT分类为幂半导体组件晶体管的领域。
除IGBT外，功率半导体组件（晶体管场）的代表性产品包括MOSFET，双极等，主要用作半导体开关。
根据他们可以分别支持的开关速度，双极性适用于中速切换，MOSFET适用于高频场。IGBT是一个组件，在输入部分中具有MOSFET结构，输出部分中的双极结构。通过将两者结合起来，它使用两个载体，电子和孔成为双极元件。它也是晶体管，结合了低饱和电压（与功率MOSFET的低抗性相媲美）和更快的切换特性。尽管它具有更快的开关特性，但它仍然不如Power Mosfet，它的开关特性更快，它的效果不如IRBT弱点。
功率半导体分为由这些基本组件组成的元素单元和模块（模块）组成的离散组件（离散）。
IGBT还分为离散组件和模块，每个组件和模块都有自己的合适应用程序范围。
下图显示了基于IGBT的功率半导体的应用范围在开关（操作）频率和输出电容之间的关系中。
IGBT是功率半导体，用于从汽车应用到工业设备和消费电子产品的各种应用。从火车和HEV/EV等具有高输出应用范围的三相电动机控制逆变器以及IGBTCAPITACE的市场范围，以促进UPS中的控制应用，工业设备电源等，再到IH（电磁诱导加热）中的IH（电磁诱导加热）等，其用途逐渐扩展。
下图总结了IGBT的应用程序字段。
