第三代半导体通常是指碳化硅（SIC）和硝酸盐（GAN）。该声明起源于中国，通常称为宽带隙半导体或国际复合半导体。
根据带隙宽度的差异，半导体材料可以分为以下四代。
第一代半导体材料由元素半导体材料（例如硅和锗）表示。它的典型应用是集成电路，主要用于低压，低频，低功率晶体管和检测器。
第二代半导体材料由砷耐加仑和磷化磷脂（INP）表示。砷化甘氨酸材料的电子迁移率是硅的6倍，并具有直接带隙。因此，与硅设备相比，其设备具有高频和高速光电特性，并且被认为是一种非常合适的通信的半导体材料。同时，其在军事电子系统中的应用变得越来越普遍且不可替代。
第三代半导体材料是指硝酸盐（例如硝酸盐（GAN），氮化铝（ALN）等），碳化硅，氧化氧化物半导体（例如氧化锌（例如氧化锌（ZnO）（ZnO），甘油氧化物（GA2O3）（GA2O3）（GA2O3），钙宽型山顶质量材料，例如Titan cat cat cat cat。与前两代半导体材料相比，第三代半导体材料具有较大的带隙，并且具有较高的特性，例如高击穿电场，高导热率，高电子饱和速率和强辐射耐性。
第四代半导体是指超宽的带隙半导体材料，例如氧化甘油（GA2O3），钻石（C）和氮化铝（ALN），以及超鼻涕带隙半导体，例如甘露膜（GASB）和Indium andim抗抗氧化物（GASB）和Indium抗抗抗氧化物（INSB）。
与第一代和第二代半导体相比，第三代半导体具有高功率，高频，高压和高温抗性的特征，并且非常适合在新兴领域（例如新型能车辆，5G基础站，光伏能源存储和数据中心）中使用。材料。
与基于硅的设备相比，由碳化硅材料制成的电源设备在高压方案中显示出更好的物理性能，并已广泛用于新的能量车辆逆变器和光伏逆变器中。
氮化岩材料可以根据其外延层结构而变成电源，射频和光电设备。氮化炮功率设备经常使用硅底物，现在已在消费充电器市场中广泛使用；射频设备主要使用碳化硅材料作为基材，非常适合5G基站，军事雷达和其他情况；就光电设备而言，使用蓝色氮化岩制成的LED已经非常成熟。
碳化硅底物可用于制备碳化物碳化物电源设备和氮化炮射频设备，并被视为第三代半导体的核心原料。但是，目前它受PVT增长方法的限制，这使批量生产非常困难。沃尔夫速等制造商正在宣传6英寸至8英寸。另外，新兴的生长方法（例如液相方法）也正在发展。
